Додаток В

Приклад анотації

В курсовій роботі розглянуто розробку схеми логічного елемента 3-І-НЕ на основі КМДН-структури, описано технологічний маршрут виготовлення. Розраховані режими технологічних операцій при виготовленні базового інтегрального елемента, а саме: розрахунок параметрів дифузії при формуванні робочих областей структури. Визначені порогові напруги р- та n-канального транзистора та час загонки. Виконано моделювання профілю розподілу домішок у середовищі TCAD. Розглянуто семисегментний дешифратор. Проаналізовано критичний вузол технологічного маршруту, описано технологічні операції, перерізи елементів інтегральної схеми на обраному технологічному етапі, зазначено критичні режими, що визна-чають параметри транзисторів.