1 ЗАГАЛЬНІ ПОЛОЖЕННЯ ТА ТЕМАТИКА КУРСОВОЇ РОБОТИ

Мета курсової роботи – розробка та дослідження технологічного маршруту створення п- і р-канальних МДН-транзисторів у складі КМДН-структури відповідно до заданих варіантом конструктивних і електрофі-зичних даних.

У курсовій роботі розробляється, оптимізується і аналізується один із критичних конструктивно-технологічних вузлів маршруту виготовлення сучасних інтегральних схем і елементів. Розроблюваний маршрут ґрунтується на базових технологіях створення КМДН інтегральних схем з урахуванням індивідуального завдання, що містить конструктивні та схемотехнічні параметри КМДН-транзисторів, а також тип ізоляції.

Тематика курсових робіт за спеціальністю «Мікро- та наноелектроні-ка» формується випусковою кафедрою (в даному разі – це кафедра електроніки) і доводиться до студентів четвертого курсу десятого триместру поточного навчального року.

Для досягнення поставленої мети курсової роботи необхідно поетапно вирішити такі завдання:

1. Розробити попередній проект повного технологічного маршруту створення п і р-канальних МДН-транзисторів у складі КМДН-структури з урахуванням типу ізоляції. Скласти ескізну технологічну маршрутну карту (схему) створення КМДН-структури;

2. Розробити масштабні ескізи п і р-канальних транзисторів;

3. Провести попередні аналітичні розрахунки впливу конструктивно-технологічних параметрів на порогову напругу п і р-канальних МДН-транзисторів:

• з урахуванням типу домішки отримати залежність порогової напруги від концентрації домішки на поверхні напівпровідника U_пор (N_п);

• для концентрації домішки, при якій розрахункове значення U_пор відповідає вихідним даним, провести розрахунки і отримати залежність порогової напруги від товщини підзатворного оксиду U_пор (d_ок);

• на основі проведених попередніх розрахунків, а також вихідних да-них розробити ескізи розподілів остаточної домішки в основних верти-кальних перерізах транзисторів;

4. З використанням засобів технологічного моделювання в одновимірному наближенні визначити режими технологічних операцій маршруту для досягнення параметрів індивідуального завдання:

• отримати залежність параметрів області карману (концентрації на поверхні N_карм, глибини залягання X_{j карм}) від дози легування і часу відпалу карману t_відп;

• отримати залежність товщини підзатворного оксиду d_ок від часу окислення t_ок;

• отримати залежність максимальної концентрації домішки у підза-творній області від дози імплантації домішки в канал;

5. На основі проведених розрахунків розробити повні технологічні мар-шрути створення п- і р-канальних МДН-транзисторів і провести двомірне технологічне моделювання даних маршрутів;

6. З використанням засобів приладового моделювання розрахувати порогову напругу п- і р-канальних МДН-транзисторів. При необхідності провести залишкове коректування маршруту для досягнення відповідності параметрів транзисторів вимогам індивідуального завдання;

7. Дослідити один з конструктивно-технологічних вузлів створення сучасних інтегральних схем і елементів. Виявити перспективи підвищення їх технічних характеристик за рахунок застосування нових технологій, матеріалів тощо.