2.1 Структура та зміст курсової роботи

КР оформляється відповідно до вимог ДСТУ 3008–95 «Документація. Звіти у сфері науки і техніки. Структура і правила оформлення».

КР повинна мати відповідний титульний аркуш.

Титульний аркуш є першою сторінкою КР, яка не нумерується. Титульний аркуш виконується за встановленим зразком, який подано в додатку Б, з врахуванням навчального закладу та підрозділів, виду роботи (КР).

На титульному аркуші подається тема КР, вказуються науковий сту-пінь та звання керівника. Підписи керівника та студента із зазначенням термінів обов’язкові.

Також на титульному аркуші після захисту курсової роботи має бути виставлена оцінка за лінгвістичною шкалою з підписами керівника та викладача (-ів), що входять до складу комісії.

Анотація призначена для ознайомлення з текстовим документом курсової роботи. Це не розділ КР, а абсолютно окремий документ.

Вона має бути стислою, інформативною та містити відомості, які характеризують виконану роботу.

Анотацію слід розміщувати безпосередньо за титульним аркушем, починаючи з нової сторінки (другої), нумерація якої не зазначається (зразок подано в додатку В).

Наступним за анотацією слід подати затверджене відповідним чином індивідуальне завдання на курсову роботу. Індивідуальне завдання, що наведене в додатку Г, виконується у випадку, коли замовником роботи виступає випускова кафедра.

Конкретний зміст кожної КР, етапи виконання визначає керівник на під-ставі індивідуального завдання, затвердженого завідувачем відповідної кафедри.

Попередньо керівник видає індивідуальне завдання до курсової роботи.

Структура роботи, крім титульного аркуша та анотації, містить такі основні складові частини:
– індивідуальне завдання;
– зміст;
– перелік умовних позначень, символів, одиниць, скорочень і термінів (за необхідності);
– вступ;
– основна частина (суть роботи);
– висновки;
– література;
– додатки (розміщують після основної частини курсової роботи).

Зміст містить найменування всіх структурних елементів (у тому числі розділів, підрозділів, пунктів (якщо вони мають найменування) із зазна-ченням номерів сторінок, з яких вони починаються. Зміст розташовують безпосередньо після анотації, починаючи з нової сторінки.

Назви заголовків змісту повинні однозначно відповідати назвам заголовків роботи за текстом. Нумерація сторінок повинна бути наскрізною.

Форми подачі розділів та підрозділів в змісті для курсових робіт (КР) показані нижче.

КР
1 Розробка ...
1.1 Варіанти ...
1.1.1 ...

2 Заголовок другого розділу
2.1 Заголовок першого підрозділу другого розділу
2.1.1 ...

3 Заголовок третього розділу
3.1 Заголовок першого підрозділу третього розділу
3.1.1…

У вступі, загальний обсяг якого рекомендується у межах 1-2 сторінок тексту, перш за все слід підкреслити значення розвитку мікроелектроніки для промисловості, техніки та інших сфер діяльності людини, подати коротке пояснення, якому методу розробки присвячено дану роботу (що є об’єктом дослідження) і в чому, на вашу думку, полягає актуальність даної тематики. Обов’язковим є також формулювання основної мети даної роботи. Крім того, у вступі рекомендується також подати основні задачі дослідження, структуру курсової роботи. Вступ пишуть з нової пронумерованої сторінки з заголовком «Вступ» з абзацу (ДСТУ 3008–95 – для КР). У вступі і далі за текстом не дозволяється використовувати скорочені слова, терміни, крім загальноприйнятих.

У першому розділі основної частини курсової роботи необхідно подати складений за індивідуальним завданням ескіз конструкції КМДН-структури (на міліметровому папері) і розроблений технологічний маршрут її виготовлення. При розробці технологічного маршруту слід враховувати, що отримувана КМДН-структура є елементною базою для більш складної інтегральної схеми, подібно до розроблюваних цифрових інтегральних схем в рамках курсових проектів зі схемотехнічних курсів. Технологічний маршрут подається у вигляді таблиці з послідовністю технологічних операцій і зазначенням їх режимів. Крім того, необхідні пояснювальні ілюстрації (повна технологічна схема) з наведеними поперечними перерізами структур базових елементів на ключових етапах виготовлення.

Для визначення режимів технологічних операцій, що дозволяють отримувати задану конструкцію елементної бази з необхідними схемо-технічними параметрами, необхідно проводити розрахунки і комп'ютерне моделювання (приладо-технологічне моделювання інтегральних елементів).

У другому розділі основної частини курсової роботи наводяться розрахунки заданої КМДН-структури, результати попередніх розрахунків та досліджень технологічних параметрів і режимів операцій, методика моделювання, технологічний маршрут на основі вибраних технологічних операцій, режими яких підлягають визначенню та оптимізації з використанням чисельного моделювання, і результати моделювання. Ілюстрації результатів розрахунків і моделювання повинні містити розподіли домішкових профілів у перерізах затвора і стоку, порогові (прохідні) ВАХ отриманих МДН-транзисторів. У кінці другого розділу необхідно або навести повний детальний остаточний маршрут із зазначенням певних режимів (доз і енергії домішок при іонному впровадженні, часу і температур відпалів і т. д.), або навести режими всіх скоригованих технологічних операцій, вказаних у повному технологічному маршруті у вигляді таблиці в першому розділі основної частини роботи.

У третьому розділі основної частини курсової роботи наводиться реферативний матеріал з аналізу одного з конструктивно-технологічних вузлів створення сучасної або перспективної елементної бази інтегральних схем або систем на кристалі. Оскільки цей розділ повинен бути підготовлений на основі джерел науково-технічної інформації, то тут необхідні посилання на використані джерела. Аналіз критичного вузла технологічного маршруту повинен містити: опис технологічних операцій, перерізи елементів інтегральної схеми на обраному технологічному етапі, зазначення критичних режимів або факторів, що визначають параметри транзисторів, виявлені проблеми та шляхи їх вирішення, перспективні технологічні процеси або маршрути, що дозволяють модернізувати даний критичний вузол.

Темою даного розділу може бути порівняння різних технологічних маршрутів створення обраної елементної бази інтегральних схем з точки зору схемотехнічних параметрів сформованих транзисторів. Обсяг третього розділу курсової роботи – 10–15 сторінок.

Висновки, якими завершується основна частина курсової роботи, повинні дуже чітко (по пунктах) відповісти, що конкретно зроблено вами у КР і які конкретно результати були при цьому отримані. Слід охарактеризувати конструкцію елементної бази ( п- і р-канальних транзисторів) і розроблений технологічний маршрут виготовлення інтегральної схеми. Також необхідно навести результати приладо-технологічного моделювання із зазначенням досягнутих порогових напруг п- і р-канальних транзисторів. Важливо відзначити ті операції технологічного маршруту, зміна режимів яких у процесі моделювання істотно впливає на порогові напруги транзисторів, і навести їх оптимальні значення, досягнуті в ході виконання роботи.

Висновки оформляють з нової пронумерованої сторінки з абзацу (ДСТУ 3008–95).

Остаточний етап оформлення КР – складання переліку літературних джерел. Форма запису «ЛІТЕРАТУРА» відповідає формі запису вступу, основної частини та висновків.

Правильно і повно складений перелік посилань – один з вагомих показників фахового рівня автора поданої до захисту КР.

Список нумерується арабськими цифрами і подається в порядку цитування того чи іншого літературного джерела, про що свідчить відповідна цифра у квадратних дужках […], проставлена при написанні основного тексту.

При бібліографічному описі різноманітних літературних джерел необхідно додержуватись відповідних правил такого опису, які викладено у відповідних державних стандартах, і пам’ятати, що бібліографічні описи літературних джерел подаються лише мовою оригіналу. Приклади бібліографічних описів літературних джерел наведено нижче.

Перелік посилань

1. Королёв М. А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: В 2-х ч. Ч. 2: Элементы и маршруты изготовлення кремниевых ИС и методы их математического моделирования / М. А. Корольов, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря , В. И. Шевяков ; под ред. Ю. А. Чаплыгина. – М. : БИНОМ, Лаборатория знаний, 2009. – 429 с.

2. Матсон Э. А. Конструкции и технология микросхем : учеб. пособие для радиотехн. спец. вузов / Э. А. Матсон. – Мн. : Вышэйшая школа, 1985. – 207 с.

3. Коледов Л. А. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование : учеб. пособие для вузов / [Л. А. Коледов, В. А. Волков, Н. И. Докучаев и др.]. – М. : Высшая школа, 1984. – 231 с.

Додатки розміщують після основної частини курсової роботи. Першим аркушем додатків для курсових робіт має бути індивідуальне завдання.