ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 4

КОНСТРУКТИВНИЙ РОЗРАХУНОК МДН-ТРАНЗИСТОРІВ

 

 

Мета роботи: визначити електрофізичні характеристики МДН-транзистора на основі SiО2 , використовуючи вихідні дані та характеристики матеріалу.

 

Теоретичні відомості

 

Найбільше поширення в ІС із МДН-транзисторів одержали транзистори з індукованим каналом [1 – 6].

Електричні характеристики. На рис. 4.1 подано структуру МДН-транзистора з p-каналом. Канал позначений на рисунку штриховою лінією.

Лаб

 

Рисунок 4.1 – Структура МДН-транзистора з

індукованим p-каналом

Зазвичай електрод витоку з'єднаний з напівпровідниковою пластиною. На рис. 4.2 подано вихідну ВАХ транзистора [1 – 6].

 

Лаб

Рисунок 4.2 – Вихідні характеристики МДН-транзистора з

 індукованим каналом p-типу

 

Зазвичай вихідна характеристика МДН-транзистора має вигляд

 

,                          (4.1)

питома крутість

,                         (4.2)

 

де ,  напруги між затвором і витоком, стоком і витоком, відповідно;

 ‒ гранична напруга;

 ‒ ширина каналу;

 довжина каналу;

  товщина тонкого підзатворного окислу.

 Напруга, відповідна початку області насичення (полога ділянка ВАХ),

 

.                                  (4.3)

 

 При  транзистор працює в області насичення. Підставляючи (4.3) в (4.1), одержуємо

,                                (4.4)

 

що відповідає області насичення. З (4.4) знайдемо крутість транзистора на пологій ділянці. 

,                                         (4.5, а)

або

.                                                    (4.5, б)

 

Диференціюючи вираз (4.1) за , одержуємо диференціальний опір транзистора на крутій ділянці

,                               (4.6)

 

а при   опір каналу

 .                                     (4.7)

 

Швидкодія МДН-транзистора визначається двома основними параметрами: часом прольоту носіїв заряду через канал  і сталою часу заряду ємності затвора через опір каналу . Зазвичай  суттєво менший , і тому  нехтують. Величина  (постійної часу крутості) запишеться так:

,                                    (4.8)

де ємність затвора

.                                                      (4.9)

 

Як матеріал затвора можуть використовуватися не тільки метали, але й високолегований полікристалічний кремній.

Для останнього

,                                     (4.10)

 

де  й  – різниці потенціалів між серединою забороненої зони й рівнями Фермі для полікристалічного кремнієвого затвора й напівпровідникової пластини [1 – 6].

Змінюючи значення  й, можна управляти граничною напругою, зокрема зменшувати  в p-канальних транзисторах.

 

 

Температурна залежність параметрів.

Температурні залежності параметрів МДН-транзистора визначаються, в основному, температурними характеристиками власної концентрації носіїв і рухливості. Власна концентрація

,                         (4.11)

 

де  – ширина забороненої зони при  К.

Рухливість

,                                                  (4.12)

де  – рухливість при температурі .

Змінення ширини забороненої зони й діелектричної проникності, як показує практика, виявляють суттєво менший вплив.

У температурній залежності напруги  основну роль відіграє зміна значень  і . Використовуючи співвідношення (3.5), (3.9), (3.11, б) і (4.11), одержуємо

,                           (4.13)

де

.                                 (4.14)

 

З виразу (4.2), використовуючи (4.12), маємо

 

,                                            (4.15)

 

де  – питома крутість при температурі .

Температурну характеристику струму стоку в режимі насичення одержимо з (4.4), використовуючи (4.15) [1 – 6]:

 

.                                    (4.16)

 

 З аналізу виразів (4.13), (4.14) випливає, що при врахуванні полярності напруг  і  доданки в прямих дужках формули (4.16) мають різні знаки й при деякій напрузі  .

Завдання

 

Розрахувати:

1) порогову напругу транзисторів з каналами п- та р-типів, виготовлених на кремнії.  Матеріал електрода затвора, тип провідності напівпровідника, тип каналу та кристалографічна орієнтація кремнієвих пластин подані в табл. 4.1.

 

Таблиця 4.1 – Варіанти завдань

варіанта

Матеріал електрода затвора

Тип провідності напівпровідника

Тип каналу

Кристалографічна орієнтація підкладки

1

Mg

n

p

2

Al

p

n

3

Ni

n

p

4

Cu

p

n

5

Ag

n

p

6

Pt

p

n

7

Au

n

p

8

Mg

p

n

9

Al

n

p

10

Ni

p

n

11

Cu

n

p

12

Ag

p

n

13

Pt

n

p

14

Au

p

n

15

Al

n

p

16

Ni

p

n

17

Cu

n

p

18

Ag

p

n

19

Pt

n

p

20

Au

p

п

 

Для розрахунку використати такі вихідні дані: діелектрик SiO2 товщиною  см і діелектричною проникністю , ,  Ф/см,  К. Для кремнію n-типу (канал р-типу) концентрація донорів  см-3,  см-3, см-3. Для кремнію р-типу (канал n-типу) концентрація акцепторів см-3, см-3, см-3. Результати обчислень подати як залежність . Для проміжних розрахунків використовувати аналітичні вирази та табличні дані, що подані в лабораторній роботі № 3;

2) розрахувати значення  та напругу  , при якій  .

        

Звіт повинен містити

 

1. Вихідні дані.

2. Конструктивний розрахунок МДН-транзистора.

3. Лістинг програми.

4. Результати тестування.

5. Висновки.

 

Контрольні запитання

 

1. Наведіть технологію виготовлення інтегрального МДН-конденсатора.

2. Наведіть технологію виготовлення інтегрального МДН-транзистора.

3. Охарактеризуйте структуру ідеального МДН-конденсатора та наведіть його характеристики.

4. Охарактеризуйте структуру реального МДН-конденсатора та наведіть його характеристики.

5. Охарактеризуйте структуру  інтегрального МДН-транзистора та наведіть його характеристики.

6. Охарактеризуйте температурну залежність параметрів інтегрального МДН-транзистора.