ЗМІСТ

Вступ

1 Основні положення і напрямки розвитку мікроелектроніки

1.1. Етапи розвитку електроніки

1.2 Основні положення і принципи мікроелектроніки

1.3 Нові напрямки розвитку мікроелектроніки

2 Структура і фізико-механічні властивості твердих тіл

2.1 Кристалізація і склування

2.2. Рідкі кристали

2.3 Структура ідеальних кристалів

3 Елементи квантової механіки і фізичної статистики

3.1 Корпускулярно-хвильовий дуалізм

3.2 Спін електрона

3.3 Симетрія, вродженість

4 Теплові властивості твердих тіл

4.1 Поняття про нормальні коливання граток

4.2 Поняття про фотони

4.3 Теплоємність твердих тіл

4.4 Теплове розширення твердих тіл

4.5 Теплопровідність твердих тіл

5 Електропровідність твердих тіл

5.1 Природа електричної провідності твердих тіл

5.2 Явище надпровідності

6 Контактні і поверхневі явища

6.1 Робота виходу

6.2 Термоелектронна емісія

6.3 Контактна різниця потенціалів

6.4 Електронно-дірковий перехід. Методи отримання р-п переходу

6.5 Рівноважний стан р-п- переходу

6.6 Випрямні властивості р-п-переходу

6.7 Імпульсні і високочастотні властивості р-п-переходу

6.8 Пробій р-п-переходу

7 Термоелектричні і гальваномагнітні явища

7.1 Термоелектрорушійна сила

7.2 Ефект Пельтьє

7.3 Ефект Холла

7.4 Ефект Еттінгсгаузена

8 Оптичні і фотоелектричні явища в напівпровідниках

8.1 Поглинання світла

8.2 Фотопровідність напівпровідників

8.3 Фотоелектричні явища в р-п-переході

8.4 Випромінювальна рекомбінація в напівпровідниках, світлодіодах

8.5 Когерентне випромінювання. Квантові підсилювачі і генератори

8.6 Поняття про голографію

9 Технологічні основи напівпровідникової мікроелектроніки

9.1 Загальні відомості

9.2 Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію

9.3 Літографія

9.4 Легування напівпровідників дифузією

9.5 Іонне легування напівпровідників

9.6 Епітаксійне нарощування напівпровідникових шарів

9.7 Виготовлення елементів біполярних ІМС

9.8 Виготовлення елементів МДН ІМС

Література

Додаток А

Глосарій