Загальні положення щодо організації самостійної роботи студентів. Структура курсової роботи.
Самостійна робота студентів в межах дисципліни «Твердотільна електроніка» є обов’язковою складовою навчального плану підготовки бакалаврів з електроніки за напрямами «Мікро- та наноелектроніка» і «Електронні пристрої та системи», яка проводиться з метою безпосереднього практичного засвоєння студентами теоретичних знань із визначення параметрів та характеристик транзисторів, набуття ними навичок роботи з комп’ютерного моделювання транзисторних структур.
Тематика і зміст самостійної роботи студентів визначені відповідно до вимог навчальної програми дисципліни і охоплюють всі найбільш принципові її розділи. Основу самостійної роботи студентів з дисципліни «Твердотільна електроніка» становить курсова робота, яка виконується студентами в сьомому навчальному триместрі одночасно з вивченням ними теоретичного матеріалу.
Тематика курсових робіт з даної дисципліни розробляється кафедрою електроніки і пропонується студентам за принципом вільного вибору, носить різноманітний характер і охоплює практично всі напрямки розвитку твердотільної електроніки. Якщо ж тематика курсової роботи збігається з тематикою наукової роботи студента або є складовою частиною його майбутньої бакалаврської дипломної роботи, то тема курсової роботи може бути запропонована самим виконавцем, але структура, обсяг і графік виконання роботи її обов’язково узгоджується з викладачем.
Структура курсової роботи містить такі обов’язкові елементи: титульний аркуш, форма якого визначається відповідним Положенням про курсове проектування у ВНТУ, а приклад конкретного виконання подається у додатку А до чинних методичних вказівок; індивідуальне завдання на курсову роботу (додаток Б); анотацію, де у стислій, лаконічній формі подається зміст та основні результати, які отримано під час виконання даної курсової роботи (обсяг анотації, яка друкується на окремому аркуші і розміщується зразу ж після індивідуального завдання, не повинен перевищувати 10 – 12 рядків тексту), основну частину роботи, яка повинна містити вступ; аналіз стану питання (перший розділ) щодо розробки та використання приладів твердотільної електроніки аналогічних тим, що запропоновані для курсового проектування, розрахунковий розділ (другий розділ), де наводиться методика та результати розрахунків відповідної напівпровідникової структури, третій розділ, де подаються результати досліджень заданої транзисторної структури щодо можливості покращення її експлуатаційних чи конструктивно-технологічних параметрів; висновки по роботі, список цитованої літератури і додатки.
Щодо обсягу курсової роботи, то він може бути рекомендований у межах 30 сторінок з використанням стандартних аркушів білого паперу формату А4 (210297 мм). Мова – українська. Для друкування застосовувати текстовий редактор MS WORD for WINDOWS, використавши шрифт Times New Roman (Cyr), 14 pt, через один інтервал між рядками. Нумерація сторінок (починаючи з четвертої) – в правому верхньому куті. Формули: full – Times New Roman, 16 pt.
У вступі слід, насамперед, сформулювати актуальність розробки чи дослідження (актуальність теми). Потім, виходячи з актуальності, визначають мету роботи, яка може полягати у покращенні якихось параметрів чи характеристик приладу, що досліджується (наприклад, «підвищення коефіцієнта передачі струму», «розширення частотного діапазону», «зменшення габаритних розмірів структури транзистора» тощо). Задекларована мета передбачає формулювання конкретних практичних завдань (або задач) дослідження, виконання яких дозволить досягнути необхідних результатів, визначених метою дослідження або розробки. Задачі дослідження формулюються відповідно до змісту курсової роботи. Окрім зазначених (актуальності, мети, задач дослідженя) у вступі необхідно показати, що є предметом дослідження (зазвичай, це, насамперед, характеристики і параметри досліджуваного приладу) і об’єктом дослідження (наприклад, процес перетворення оптичного випромінювання в електричний інформаційний сигнал), які методи дослідження були використані під час підготовки даної роботи, в чому полягає практична цінність проведеного дослідження чи розробки.
Перший розділ рекомендується побудувати як аналіз стану питання, тобто на основі залучення якомога ширшого наявного літературного матеріалу (підручники, навчальні посібники, наукові монографії та статті з наукових журналів, описи патентів на винаходи тощо) критично висвітлити, в якому стані знаходиться об’єкт вашого дослідження, наскільки він поширений, де використовується, чи достатня теоретична база для аналізу та проектування даних приладів, які є шляхи покращення конструктивних чи експлуатаційних параметрів таких приладів (виключно відповідно до заявленої мети).
При аналізі стану питання обов’язковим є не тільки критичне висвітлення певної інформації про об’єкт дослідження, але й коректне ставлення до самих джерел інформації, про що свідчить наявність чи відсутність у тексті вашої роботи відповідних цифр у квадратних дужках, кожна з яких відповідає номеру того чи іншого видання зі списку використаної літератури, що обов’язково подається в кінці курсової роботи. Оформляти цей список необхідно з додержанням сучасних правил бібліографічного опису документів. При цьому не слід забувати, що бібліографічний опис того чи іншого документа подається тільки на мові оригіналу.
Другий розділ, як правило, присвячується розрахункам конкретної напівпровідникової структури з наперед заданими параметрами. При виконанні цього розділу курсової роботи слід використати всю наявну теоретичну базу, враховуючи як лекційний матеріал, так і рекомендовану вам спеціальну літературу. Якщо тема курсової роботи була запропонована самим її виконавцем, то структура і обсяг відповідних розрахунків повинні бути обов’язково погоджені з керівником вашої курсової роботи і відповідним чином зафіксовані в індивідуальному завданні на КР.
Індивідуальне завдання може передбачати і елементи конструкторської роботи, а саме: відтворення у вигляді креслень розрахованих вами структур або зовнішнього вигляду (складального креслення) відповідних приладів. Такі креслення подаються як додаток до курсової роботи і оформляються відповідно до вимог ЄСКД («Єдиної системи конструкторської документації»).
Третій розділ не є обов’язковим. Цей розділ є елементом наукової роботи, основна мета якої – дослідження можливості суттєвого покращення конструктивних, технологічних або експлуатаційних параметрів чи характеристик транзисторної структури, що покладена в основу даної курсової роботи.
Методи такого дослідження можуть носити як експериментальний, так і теоретичний характер із залученням методів математичного і комп’ютерного моделювання. Результати таких досліджень, як правило, мають елементи наукової новизни або нового технічного рішення, які необхідно формально захистити або у вигляді наукової публікації (доповідь на науковій конференції, наукова стаття у фаховому журналі), або у вигляді заявки на відповідний патент.
Висновки по роботі, якими завершується будь-яка робота даного кваліфікаційного рівня, повинні чітко (по пунктах) відповісти, що конкретно зроблено в цій роботі і які конкретні результати отримано. Прикладом такого запису може бути:
«1. Показано, що підвищення крутості характеристики польового транзистора з управляючим p-n-переходом можливе за рахунок введення в дану структуру V-подібного заслону і зменшення величини поверхневих станів.
2. Показано, що за заданих умов формування транзисторної структури статичний коефіцієнт підсилення біполярного транзистора = 72, а коефіцієнт передавання струму емітера – = 0,986.»
Список використаної літератури оформлюється з урахуванням сучасних вимог до бібліографічного опису інформаційних джерел (ДСТУ ГОСТ 7.1.2006) у кінці курсової роботи (після висновків). Список складається за чергою посилань у тексті (а не за абеткою). У тексті курсової роботи посилання ставляться в квадратні дужки (наприклад, [1, 2]). Приклади бібліографічного опису інформаційних джерел наведені нижче.
Для книжок (підручники, навчальні посібники, монографії):1. Осадчук О. В. Мікроелектронні частотні перетворювачі на основі структур з від’ємним опором / Осадчук О. В. – Вінниця : УНІВЕРСУМ – Вінниця, 2001. – 303 с.
2. Васильєва Л. Д. Напівпровідникові прилади: Підручник / Васильєва Л. Д., Медведенко Б. І., Якименко Ю. І. – К. : ІВЦ “Видавництво “Політехніка”, 2003. – 388 с.
Для наукових статей:
3. Орликовский А. А. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: Современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV / А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов // Микроэлектроника. – 2001. – Т.30. – № 6. – С.403 – 433.
4. Curtis B. J. Optical End-Point Detection for the Plasma Etching of Aluminium / B. J. Curtis // Solid State Technology. – 1980. – V. 23. – № 4. – P.129 – 132.
Для патентів:
5. Патент України № 26976, Н01L 21/302. Спосіб визначення моменту закінчення процесу плазмохімічного травлення / Кравченко С. Ю., Кравченко Ю. С., Осадчук В. С., Осадчук О. В. – 2007. – Бюл. 16.
Для електронних джерел інформації:
6. Аверкин С. Н. Зондовая диагностика плазмы ВЧ и СВЧ источников в иммерсионном ионном имплантере [Электронный ресурс] / С. Н. Аверкин, А. П. Ершов, А. А. Орликовский, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов // ХХХ Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и УТС: междунар. науч.-техн. конференция, 24 – 28 февр. 2003 г.: тезисы докл., 2003.
Режим доступу: http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXX/Pt/ru/AZ-Sukhanov.doc Додатки до курсової роботи з твердотільної електроніки подаються як продовження роботи на подальших її аркушах.
Кожен додаток повинен починатися з нової сторінки. Він повинен мати заголовок, надрукований вгорі малими літерами з першої великої симетрично відносно тексту сторінки. Посередині рядка над заголовком малими літерами з першої великої повинно бути надруковано слово «Додаток _» і велика літера що позначає додаток.
Додатки слід позначати послідовно літерами української абетки, за винятком літер Ґ, Є, З, І, Ї, Й, О, Ч, Ь, наприклад, «Додаток А», «Додаток Б». Ілюстрації (рисунки) і таблиці в тексті курсової роботи оформлюються відповідно до затверджених норм і вимог.
Ілюстрації можуть бути розміщені як по тексту курсової роботи, так і в її додатках. Всі ілюстрації нумерують в межах розділу і порядкового номера ілюстрації, розділених крапкою, наприклад,: Рисунок 1.1, Рисунок 1.2. Посилання на ілюстрації дають так: «… на рис. 1.1 …». Посилання на раніше згадувані рисунки дають із скороченням слова «дивись», наприклад: «див. рис. 3.2».
Всі рисунки повинні мати назву і пояснювальні дані (підрисунковий текст), наприклад, «Рисунок 3.1 – Вихідні характеристики біполярного транзистора» (крапка в кінці назви рисунка не ставиться). Цифровий матеріал, як правило, оформлюють у вигляді таблиць. Кожна таблиця повинна мати назву, яку треба виконувати малими літерами (перша велика) над таблицею (над лівим верхнім кутом), наприклад, «Таблиця 2.4 – Параметри МДН-структури з полісиліцієвим заслоном» (без крапки у кінці).
Графу «№ п/п» в таблицю не включають.
Якщо розміри таблиці виходять за формат листа, то таблицю ділять на частини, які в залежності від особливості таблиці переносять на інші листи або розташовують на одному листі, наприклад, одна під одною.
Слово «Таблиця _», назва і порядковий номер таблиці вказують один раз на першою частиною таблиці, над наступними частинами пишуть слова «Продовження таблиці _» із зазначенням її номера. Всі таблиці, якщо їх в роботі більше, ніж одна, нумерують в межах розділу і порядкового номера таблиці, розділених крапкою.