2.8 Розробка масштабних ескізів п- і р-канальних транзисторів

Ескізи п- і р-канальних транзисторів дозволяють краще зрозуміти об'єкт дослідження і тому будуть використані в подальшому при прове-денні одновимірного і двовимірного моделювання технологічного маршруту.

Ескізи приладів в масштабі необхідно зобразити на міліметровому папері згідно з розмірами, зазначеними у варіанті індивідуального завдання. При створенні ескізів слід вважати, що початок координат горизонтальної осі (X = 0) знаходиться в центрі затвора, розділяючи транзистор на дві симетричні половини. Осі координат також необхідно показати на ескізі.

Приклад ескізу n-МДН-транзистора з p-підкладкою і p⁺-затвором показаний на рис. 2.3, а. Параметри приладу (рис. 2.3, б) у відповідності з завданням такі:

– L_к = 2 мкм, L_сп = 0,5 мкм, L_зм = 1 мкм, L_м = 0,5 мкм;

– d_з = 1 мкм, d_ок = 0,1 мкм, X_{j св} = 0,5 мкм.

Рисунок 2.3 – Масштабний ескіз n-МДН-транзистора з р-підкладкою і р⁺-затвором (а) і структура та основні розміри n- МДН-транзистора з р⁺-затвором і р-карманом