Додатки

 

Додаток А

Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України

Вінницький національний технічний університет

Інститут радіотехніки, зв’язку та приладобудування

Факультет медико-біологічного та електронного приладобудування

Кафедра проектування комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури

 

 

ЗАТВЕРДЖУЮ

Завідувач кафедри ПКТА

д.т.н., проф. М. А. Філинюк

"___" _______ 20___ р.

 

 

 

 

РОЗРОБКА ГІБРИДНОЇ ІНТЕГРАЛЬНОЇ СХЕМИ ГЕНЕРАТОРа СИГНАЛІВ ЗАДАНОЇ ЧАСТОТИ

 

 

ТЕХНІЧНЕ ЗАВДАННЯ

до курсового проекту з дисципліни "Технічна електроніка"

за напрямом підготовки 6.050903 —Телекомунікації

08–40.ТЕ.312.00.000 ТЗ

 

 

 

 

 

 

 

 

Керівник курсового проекту

к.т.н., доц. _Петров П. П.

(прізвище та ініціали)

______________________

(підпис)                         

”___” ____________20___ р.

    

Розробив студент гр. ТКп-09

______Іванов І. І._____

                                                                         (підпис, прізвище та ініціали)        

   ”___” ____________20__ р.

 

 

 

 

 

Вінниця ВНТУ 20__

 

 

Додаток Б

 

 

Додаток В


 

 

Додаток Г


 

Додаток Д


 

 

Додаток Е

 

 

Додаток Ж

 

Додаток И

 

 

Додаток К

 

Таблиця К.1 – Конструктивні та технологічні обмеження при проектуванні тонкоплівкових гібридних мікросхем

Елемент топології

Зміст обмеження

Розмір обмеження, мм

М

Ф

МФ

ЕІ

ТА

1

2

3

4

5

6

7

 

Точність виготовлення лінійних розмірів плівкових елементів та розмірів між ними Δl, Δb, Δa, ΔL, ΔB при

розміщенні плівкових елементів в одному шарі, мм

±0,01

 

±0,01

 

± 0,01

 

± 0,01

 

± 0,01

 

Мінімально допустимий розмір резистора, мм

b

l

 

 

0,1

0,3

 

 

0,1

0,1

 

 

0,1

0,3

 

 

0,15

0,3

 

 

0,05

0,1

Мінімально допустимі розміри між плівковими елементами, розміщеними в одному шарі   а, мм

0,3

0,1

0,3

0,1

0,05

Максимально допустиме співвідношення розмірів l/а

10

100

30

100

100

Максимально допустимий розмір між плівковими елементами, розміщеними в різних шарах с, мм

0,2

0,1

0,2

0,1

0,1

Перекриття для суміщення плівкових елементів, що розміщені в різних шарах e, мм

0,2

0,1

0,2

0,1

0,1

min відстань від плівкових елементів до краю плати d, мм

0,5

0,2

0,5

0,4

0,2

min ширина плівкових

провідників i, мм

0,1

0,05

0,1

0,1

0,05

min допустима відстань між краями плівкового резистора та краєм його контактної площадки j, мм

 

0,2

0,1

0,2

0,1

0,1

Продовження таблиці К1

1

2

3

4

5

6

7

 

 

min допустимі відстані, мм між краями діелек-трика та нижньою обкладинкою конденсатора f

0,1

0,1

0,1

0,1

–

між краями верхньої та нижньої обкладинок конденсатора q

0,2

між краями діелект-рика та з'єднанням виводів конденсатора у місці виводу верхньої обкладинки с

0,3

від плівкового конденсатора до приклеюваних навісних компонентів z

0,5

min площа перекриття обкладинок L×B, мм2

0,5×0,5

max відхилення ємності конденсатора від номінального значення, %

12

 

 

min відстань від дротя-ного провідника чи виводу до краю кон-тактної площадки чи до краю плівкового провідника, незахище-ного ізоляцією k, мм

0,2

min розміри контакт-них площадок для мон-тажу навісних компо-нентів з кульковими виводами     m, мм

                      n, мм

 

 

 

 

0,2

0,1

min відстань між кон-тактними площадками для монтажу навісних компонентів з кулько-вими чи стовпчикови-ми виводами, плівко-вим резистором р, діелектриком конденсатора , мм

 

 

 

 

 

 

0,6

 

0,35

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Продовження таблиці К1

1

2

3

4

5

6

7

 

 

 

min відстань, мм, від краю навісного компонента до:

краю плати g,

краю іншого компонента r,

 краю навісного пасивного компонента,

краю контактної площадки, що використовується для приварки дротяних виводів s,

дротяного провідника,

лудженого плівкового елемента

 

 

 

0,4

 

0,4

 

0,6

 

 

 

0,4

0,3

 

0,2

min розміри контактних площадок для контролю електричних параметрів, мм

0,2×0,2

 

min відстань між кон-тактними площадками для приварки та припаювання дротяних провідників, мм

0,2

 

max довжина гнучкого виводу без додатко-вого кріплення о, мм

3,0

 

min розміри контактних площадок для приварки дротяних виводів навісних компонентів при діаметрі дроту, мм:

 0,03

для одного провідника

для двох провідників

для трьох провідників

0,04

Те ж

 

 

 0,05

Те ж

 

 

 

 

 

 

 

0,15×0,1

0,2×0,2

0,2×0,3

 

0,2×0,15

0,25×0,25

0,25×0,40

 

0,25×0,2

0,3×0,3

0,3×0,5

 

 

Додаток Л

Таблиця Л.1 – Електричні і конструктивні параметри мініатюрних діодів

Тип діода

Пряма напруга, В при Іпр, мА

Зворотний струм, мкА

Максимальна зворотна напруга, В

Максимальний прямий струм

Максимальна температура, 0С

Рисунок

Uпр

Іпр

2Д 101

1

100

5

30

20

85

2Д 102 А

1

50

0,1

250

100

125

2Д 102 Б

1

50

1

300

100

125

КД 102 А

1

50

0,1

250

100

100

КД 102 Б

1

50

1

300

100

100

КД 103 А

1

50

0,4

50

100

100

2Д 103 А

1

50

1

75

100

125

КД 103 Б

1

10

3

300

10

70

2Д 104 А

1

10

3

300

10

70

КД 104 А

1

10

3

300

10

70

3Д 110А

1,45

10

0,001

50

10

85

АД 110А

1,5

10

0,005

50

10

85

2Д 115А-1

1

50

1

100

30

125

2Д1 18А-1

1

300

50

200

300

100

Д 202

1

400

500

100

400

125

Д 203

1

400

500

200

400

125

Д 204

1

400

500

300

400

85

Д 205

1

400

500

400

400

85

МДЗ

1

5

100

15

12

70

 

2Д 413 А,Б

1

20

-

24

20

125

КД 413 А,Б

1

20

-

24

20

85

КД 417 А

0,45

1

5

24

20

100

2Д419Б,

КД419Б

0,4

1

-

30

10

125

2Д419В,

КД419В

0,4

1

-

50

10

125

2Д 922 А,

КД 922 А

1

50

0,5

18

50

100

2Д 922 Б,

КД 922 Б

1

35

0,5

21

35

100

2Д 922 В,

КД 922 В

0,55

10

0,5

10

10

100

Таблиця Л.2 – Електричні та геометричні параметри транзисторів

 

Тип транзистора

Струк-

тура

Uк-б,

В

Ікmax,

мА

h21е

Рк max,

мВт

Інтервал

робочих

температур, 0С

Маса, г

Рисунок

1

2

3

4

5

6

7

8

9

2Т 118 А-1

2Т 118 Б-1

p-n-p

15

50

-

30

-60...+85

0,003

КТ 120 А-1

p-n-p

60

10

20-200

15

-10...+65

0,06

КТ 120 Б-1

30

КТ 120 В-1

60

35

2Т 126 А-1,Б-1

25

50

15-60

15

-60...+85

2Т 126 В-1,Г-1

45

40-200

2Т 127 А1

n-p- n

25

50

15-60

15

-60...+85

0,006

2Т 127 Б1

40-200

2Т 127 В1

45

15-60

2Т 127 Г1

40-200

2Т 202 А-1,

КТ 202 А-1

p-n-p

15

20

15-70

 

-60...+85

0,002

2Т 202 Б-1,

КТ 202 Б-1

40-160

2Т 202 В-1,

КТ 202 В-1

30

15-70

2Т 202 Г-1,

КТ 202 Г-1

40-160

2Т 202 Д-1,

КТ 202 Д-1

15

100-300

2Т 205 А-3,

КТ 205 Б-3

n-p- n

250

20

10-40

40

-60...+125

0,003

КТ 206 А

КТ 206 Б

n-p- n

20

20

30-90

15

-60...+85

0,002

12

70-210

КТ 207 А

p-n-p

60

10

9

15

-45...+85

0,01

КТ 207 Б

30

30-150

КТ 207 В

15

30-200

Продовження таблиці Л.2

1

2

3

4

5

6

7

8

9

2 Т 211 А-1

p-n-p

15

20

40-120

25

-60...+125

0,002

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 Т 211 Б-1

80-240

2 Т 211 В-1

160-480

2 Т 214 А-1

(30)

50

20

50

-60...+100

2 Т 214 Б-1

(7)

30-90

2 Т 214 В-1,

2 Т 214 Г-1

 

40-120

2 Т 214 Д-1

80

2 Т 214 Е-1

(20)

40

КТ 214 А-1

(30)

20

-45...+85

КТ 214 Б-1

(7)

30-90

КТ 214 В-1,

КТ 214 Г-1

40-120

КТ 214 Д-1

80

КТ 214 Е-1

(20)

40

2 Т 215 А-1

(100)

20

-60...+100

2 Т 215 Б-1

(90)

30-90

2Т 215 В-1

n-p- n

(80)

50

40-120

50

-60...+100

0,002

 

 

2 Т 215 Г-1

(60)

2 Т 215 Д-1

(30)

80

2 Т 215 Е-1

40

КТ 215 А-1

(100)

20

-45...+85

КТ 215 Б-1

(90)

30-90

КТ 215 В-1

(80)

40-120

КТ 215 Г-1

(60)

40-120

КТ 215 Д-1

(30)

80

КТ 215 Е-1

40

2Т 307 А-1,

КТ 307 А-1

n-p- n

10

20

20

15

-60...+85

0,002

2Т 307 Б-1,

КТ 307 Б-1

40

2Т 307 В-1,

КТ 307 В-1

40

2Т 307 Г-1,

КТ 307 Г-1

80

2Т 314 А-2

КТ 314 А-2

n-p- n

65

60

30-120

0,5*103

-60...+125

0,1

 


 

Додаток М

ПРИКЛАДИ РОЗРАХУНКІВ ПЛІВКОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ

 

1 Розрахунок плівкових резисторів

Дано, що резистори мають такі параметри: R5 = R9 = R10 = R11 = = R12 = 3,7 кОм; R1 = R3 = R8 = 27 кОм; R4 = R6 = R13 = 57 кОм; R2 = R7 = 270 кОм.

Визначимо оптимальний опір квадрата резистивної плівки:

,                                                      (М.1)

 

де  - номінал -того резистора;  - кількість резисторів.

 (кОм/□).

 

Для виготовлення резисторів будемо використовувати матеріал кермет К-50С ЕТО.021.013ТУ, оскільки його  = 10000 Ом/□ найближчий до  .

Дані для розрахунку:

                        - загальна похибка опорів – ;

                        - максимальна робоча температура  – ;

- потужність розсіювання –  мВт;

                        - похибка перехідних опорів контактів – ;

- похибка відтворення величини резистивної плівки – ;

- мінімальні довжина і ширина, які можуть бути зроблені за допомогою цього методу –  мм.

Параметри резистивного матеріалу:

                        - питома потужність розсіювання  –  мВт/мм2;

                        - температурний коефіцієнт опору  –  1/ºС;

                               - зміна величини опору при старінні – .

            Крок координатної сітки –  мм;

            Метод виготовлення резисторів – фотолітографія.

Відносна зміна опорів  при максимальній робочій температурі:

.

Максимально допустима похибка коефіцієнта:

.

 

а) розрахунок резисторів R5 = R9 = R10 = R11 = R12 = 3,7 кОм ± 10%.

Визначимо конструкцію резисторів за значенням коефіцієнта форми:

– отже, резистори прямокутної форми з довжиною, меншою за ширину ().

            Для таких резисторів спочатку визначається довжина, а потім ширина:

,                                       (М.2)

де  – мінімальна довжина резистора, обумовлена технологічними обмеженнями,  (мм).

,                                                (М.3)

де  –  довжина резистора, що визначається точністю виготовлення.

,                                                          (М.4)

де  - мінімальна довжина резистора, при якій забезпечується задана потужність.

(мм).

(мм).

Згідно з формулою (М.2) приймаємо найбільше із вирахуваних значень -  мм. Заокруглюємо до значення, кратного кроку координатної сітки у більшу сторону, щоб був запас із розсіювання потужності, –  мм.

Тепер, знаючи значення довжини резистора, визначаємо ширину резистора,  за допомогою коефіцієнта форми

      ,                                                              (М.5)

 (мм).

Заокруглюємо до значення, кратного кроку координатної сітки  мм.

Визначаємо повну довжину резистора з врахуванням перекриття контактних площадок

,                                               (М.6)

де  – розмір перекриття резистора і контактних площадок. При використанні даного методу  мм.

 (мм).

Загальна площа резистора на схемі становить

,                                                     (М.7)

 (мм2).

Всі розрахунки зроблено, виконаємо перевірку:

–        потужності

,                                                   (М.8)

 (мВт/мм2), отже, виготовлений резистор не буде виділяти більшу потужність, ніж задана в умові;

–        похибки коефіцієнта форми

,                                      (М.9)

;

–        перевірка сумарної похибки

,                            (М.10)

 

 (%).

Виконавши перевірку видно, що параметри резисторів R5, R9, R10, R11, R12 розраховано правильно.

 

б) розрахунок резисторів R1 = R3 = R8 = 27 кОм ± 10%.

Визначимо конструкцію резисторів за значенням коефіцієнта форми:

 – отже, резистори прямокутної форми з довжиною, більшою за ширину ().

            Для таких резисторів спочатку визначається ширина, а потім довжина:

,                                    (М.11)

де  – мінімальна ширина резистора, обумовлена технологічними обмеженнями,  (мм).

,                                                 (М.12)

де  –  ширина резистора, що визначається точністю виготовлення.

,                                              (М.13)

де  - мінімальна ширина резистора, при якій забезпечується задана потужність.

(мм),

(мм).

Згідно з формулою М.11 приймаємо найбільше із вирахуваних значень –  мм. Заокруглюємо до значення, кратного кроку координатної сітки у більшу сторону, щоб був запас із розсіювання потужності, –  мм.

Тепер, знаючи значення ширина резистора, визначаємо його довжину,  за допомогою коефіцієнта форми

,                                                     (М.14)

 (мм).

Заокруглюємо до значення, кратного кроку координатної сітки  мм.

Визначаємо повну довжину резистора з врахуванням перекриття контактних площадок (за формулою (4.13):

 (мм).

Загальна площа резистора на схемі становить (за формулою 4.14)

 (мм2).

Всі розрахунки зроблені, виконаємо перевірку:

 – потужності (за формулою М.8)

 (мВт/мм2), отже, виготовлений резистор не буде виділяти більшу потужність, ніж задана в умові;

        

    – похибки коефіцієнта форми (за формулою М.9)

;

 

– перевірка сумарної похибки (за формулою М.10)

             (%).

Виконавши перевірку видно, що параметри резисторів R1, R3, R8 розраховано правильно.

 

в) розрахунок резисторів R2 = R7 = 270 кОм ± 10%.

Визначимо конструкцію резисторів за значенням коефіцієнта форми

– отже, це будуть резистори складної форми (меандр).

            Для таких резисторів спочатку визначається ширина, а потім довжина:

,

(мм),

(мм).

Серед наведених вище розрахунків, найбільше значення має мм, тому його будемо використовувати для подальших розрахунків. Тепер це значення округлюємо до кроку координатної сітки, мм.

Визначаємо довжину середньої лінії меандра

                                                    ,                                                    (М.15)

(мм).

Тепер визначаємо найменшу кількість ланок у меандрі, виходячи з такої умови, що мінімальною вона буде при однакових значеннях відстані між ланками () та ширини однієї ланки меандра () тобто , а також при однаковій загальній довжині () та ширині () меандра (). При використанні фотолітографічного методу  мм, а згідно з отриманим значенням  мм, тому вибираємо  мм.

Тепер визначаємо крок однієї ланки

,                                                      (М.16)

 (мм).

Визначимо оптимальну кількість ланок меандра

,                                                      (М.17)

, але число ланок повинно бути цілим, тому округлюємо до більшого – кількість ланок меандра .

Визначимо загальну довжину меандра

,                                           (М.18)

 (мм).

Тепер загальну ширину меандра

 

,                                              (М.19)

 (мм).

            Загальна площа меандра становить

,                                                    (М.20)

 

 (мм2).

Всі розрахунки зроблені, виконаємо перевірку:

 – потужності (за формулою М.8)

 (мВт/мм2)

отже меандр має великий запас міцності за потужністю.

–        похибки коефіцієнта форми (за формулою М.9)

,                                          (М.21)

;

 

– перевірка сумарної похибки (за формулою М.10)

 (%).

Виконавши перевірку видно, що параметри резисторів R2, R7 розраховано правильно.

 

2 Розрахунок плівкових конденсаторів

В даній схемі конденсатори мають такі параметри:

C1 = C2 = C7 = C8 = 470 пФ; C3 = C4 = C5 = C6 = C9 = C11 = 680 пФ; C10 =  = C12 = 2700 пФ.

Дані для розрахунку:

- робоча напруга –  В;

- діапазон робочих температур – ;

- тангенс кута діелектричних втрат – ;

- максимальна частота  –  кГц;

- похибка відтворення ємності на виробництві – ;

- похибка старіння матеріалу – ;

- крок координатної сітки –  мм.

Діелектричний матеріал – монооксид кремнію, що має такі параметри:

                        - питомий поверхневий опір –  Ом/□;

- робоча напруга –  В;

- діелектрична проникність – ;

- тангенс кута діелектричних втрат в діелектрику – ;

- електрична міцність – В/см; 

- робоча частота –  кГц;

- температурний коефіцієнт ємності – 1/°С.

Визначаємо мінімальну товщину діелектрика

,                                                   (М.22)

де  – коефіцієнт запасу електричної міцності, який зазвичай дорівнює 2 ÷ 4;

             – робоча напруга схеми;

             – електрична міцність матеріалу.

Товщина повинна бути в межах 0,1..1 мкм, інакше потрібно вибирати інший матеріал.

(м).

Отже, вибраний матеріал підходить для подальших розрахунків.

 

а) розрахунок конденсаторів С1 = С2 = С7 = С8 = 470 пФ ± 15%.

Вибираємо мінімальне значення питомої ємності конденсатора, виходячи з такої умови:

,                                      (М.23)

де  – питома ємність за електричною міцністю;

 – питома ємність за точністю виготовлення;

 – питома ємність мінімальної площі.

Визначаємо питому ємність конденсатора, виходячи з умови електричної міцності

,                                                  (М.24)

 (пФ/мм2).

          Оцінюємо відносну температурну похибку

 

,                                        (М.25)

           

            Визначаємо допустиму похибку активної площі конденсатора

,                                   (М.26)

            де  – похибка ємності;

             – похибка старіння матеріалу, зазвичай 2 ÷ 3%.

           

            Визначаємо питому ємність конденсатора з урахуванням точності його виготовлення

,                                 (М.27)

де  – абсолютна похибка довжини верхньої обкладинки,  мм;

 – коефіцієнт форми, для ТПК прямокутної форми .

 (пФ/мм2).

Визначаємо питому ємність для мінімальної площі

,                                                  (М.28)

де мм2 – мінімальна площа.

 (пФ/мм2).

Отже, найменшим значенням серед визначених є  пФ/мм2, тому  пФ/мм2.

Визначаємо коефіцієнт, що враховує крайовий ефект в конденсаторі

,                             (М.29)

             (мм2), отже, коефіцієнт буде дорівнювати

.

Визначимо площу верхньої обкладинки конденсатора

,                                                             (М.30)

 (мм2).

Визначимо розміри верхньої обкладинки конденсаторів

,                                             (М.31)

 

 (мм).

Заокруглимо до значення кроку координатної сітки ( мм):

 мм.

Визначимо розміри нижньої обкладинки конденсатора

,                                         (М.32)

де  – розмір перекриття верхньої та нижньої обкладинок,  мм.

 (мм).

Визначимо розмір діелектрика

,                                       (М.33)

де  – розмір перекриття нижньої обкладинки і діелектрика,  мм.

 (мм).

Визначимо площу, яку буде займати конденсатор

,                                                      (М.34)

 (мм2).

Виконаємо перевірку:

– робочий тангенса кута діелектричних втрат

,                                                    (М.35)

,                                       (М.36)

;                                  (М.37)

,

,

отже, , тому за тангенсом кута діелектричних втрат розрахунки правильні;

–        робоча електрична міцність матеріалу діелектрика

,                                                    (М.38)

причому

 ,                                                 (М.39)

 (В/см),

отже, , тому є запас міцності діелектрика при робочому режимі;

–        похибка активної площі конденсатора

,                                               (М.40)

причому

;                                       (М.41)

,

 отже , похибка знаходиться у відповідних межах, отже  розрахунок конденсаторів С1, С2, С7 та С8 – правильний.

 

б) розрахунок конденсаторів С10 = С12 = 2700 пФ ± 15%.

Обираємо мінімальне значення питомої ємності конденсатора, виходячи з формули (М.23).

Питома ємність конденсатора (за (М.24))

 пФ/мм2.

            Питома ємність конденсатора з урахуванням точності його виготовлення визначається за формулою (М.27):

 (пФ/мм2).

Питома ємність мінімуму площі (за формулою (М.28))

 (пФ/мм2).

Отже, найменшим значенням серед розрахованих є  пФ/мм2, тому  пФ/мм2.

Визначаємо коефіцієнт, що враховує крайовий ефект в конденсаторі (за формулою (М.29))

 (мм2), отже, коефіцієнт буде дорівнювати одиниці.

Визначимо площу верхньої обкладинки конденсатора (за формулою (М.30))

 (мм2).

Визначимо розміри верхньої обкладинки конденсаторів (за формулою (М.31))

 (мм).

Визначимо розміри нижньої обкладинки конденсатора (за формулою (М.32)):

 (мм).

Визначимо розмір діелектрика (за формулою (М.33))

 (мм).

Визначимо площу, яку буде займати конденсатор (за формулою (М.34))

 (мм2).

Виконаємо перевірку:

– тангенса кута втрат (за формулами (М.35)–(М.37))

,

,

отже, , тому за тангенсом кута діелектричних втрат розрахунки правильні;

– електричної міцності діелектрика (за формулами (М.38), (М.39))

 (В/см),

Отже, , тому є запас міцності діелектрику при робочому режимі;

– похибки активної площі (за формулами (М.40), (М.41))

,

отже , тому похибка активної площі конденсатора знаходиться у відповідних межах і розрахунок конденсаторів С10 та С12 – правильний.

 

Додаток Н

ПРИКЛАДИ ОФОРМЛЕННЯ ЛІТЕРАТУРИ

Література оформлюється згідно з ДСТУ ГОСТ 7.1:2006 “Система стандартів з інформації, бібліотечної та видавничої справи. Бібліографічний запис. Бібліографічний опис. Загальні вимоги та правила складання”.

Характеристика джерела

Приклад оформлення

Книги:

Один автор

1.     Коренівський Д. Г. Дестабілізуючий ефект параметричного білого шуму в неперервних та дискретних динамічних системах / Коренівський Д. Г. — К. : Ін-т математики, 2006. — 111 с. — (Математика та її застосування) (Праці / Ін-т математики НАН України ; т. 59).

Два автори

1.     Суберляк О. В. Технологія переробки полімерних та композиційних матеріалів : підруч. [для студ. вищ. навч. закл.] / О. В. Суберляк, П. І. Баштанник. — Львів : Растр-7, 2007. — 375 с.

Три автори

1.     Акофф Р. Л. Идеализированное проектирование: как предотвратить завтрашний кризис сегодня. Создание будущего организации / Акофф Р. Л., Магидсон Д., Эддисон Г. Д. ; пер. с англ. Ф. П. Тарасенко. — Днепропетровск : Баланс Бизнес Букс, 2007. — XLIII, 265 с.

Чотири автори

1.     Елементи iнформатики [Текст] : довідник / В. С. Височанський, А. I. Кардаш, В. С. Костев, В. В. Черняхівський . — К. : Наук, думка, 2003. - 192 с.

2.     Механізація переробної галузі агропромислового комплексу : [підруч. для учнів проф.-техн. навч. закл.] / О. В. Гвоздєв, Ф. Ю. Ялпачик, Ю. П. Рогач, М. М. Сердюк. — К. : Вища освіта, 2006. — 478, [1] с. — (ПТО: Професійно-технічна освіта).

П’ять і більше авторів

1.     Психология менеджмента / [ Власов П. К., Липницкий А. В., Лущихина И. М. и др.] ; под ред. Г. С. Никифорова. — [3-е изд.]. — Х. : Гуманитар. центр, 2007. — 510 с.

2.     Коротковолновые антенны [Текст] : учеб, пособие / Г. 3. Айзенберг, С. П. Белоусов, Я. М. Журбин и др. ; под общ. ред. А. А. Стогния. — 2-е изд. — М. : Радио и связь, 2003. — 192 с.

 

Без автора

1.     Информационные технологии в маркетинге [Текст] : учеб. / под ред. Г. А. Титаренко. — М. : ЮНИТИ, 2000. — 335 с. — (Texbook). — 13ВК 5-238-00154-1.

2.     Проблеми типологічної та квантитативної лексикології : [зб.наук.праць / наук. ред. Каліущенко В. та ін.]. — Чернівці : Рута, 2007. — 310 с.

 

Багатотомний документ

1.     Історія Національної академії наук України, 1941—1945 / [упоряд. Л. М. Яременко та ін.]. — К. : Нац. б-ка України ім. В. І. Вернадського, 2007—    .— (Джерела з історії науки в Україні).

 Ч. 2 : Додатки — 2007. — 573, [1] c.

2.     Межгосударственные стандарты : каталог в 6 т. / [сост. Ковалева И. В., Рубцова Е. Ю. ; ред. Иванов В. Л.]. — Львов : НТЦ "Леонорм-Стандарт", 2005—    .— (Серия "Нормативная база предприятия"). Т. 1. — 2005. — 277 с.

3.     Савельев, И.В. Курс общей физики [Текст]. Т. 1. Механика. Молекулярная физика : учеб, пособие / И. В. Савельев. -—• 2-е изд., перераб. — М. : Наука, 1982. — 432 с.

4.     Бондаренко В. Г. Теорія ймовірностей і математична статистика. Ч.1 / В. Г. Бондаренко, І. Ю. Канівська, С. М. Парамонова. — К. : НТУУ "КПІ", 2006. — 125 с.

Матеріали конференцій, з’їздів

 

1.     Економіка, менеджмент, освіта в системі реформування агропромислового комплексу : матеріали Всеукр. конф. молодих учених-аграрників ["Молодь України і аграрна реформа"], (Харків, 11—13 жовт. 2000 р.) / М-во аграр. політики, Харк. держ. аграр. ун-т ім. В. В. Докучаєва. — Х. : Харк. держ. аграр. ун-т ім. В. В. Докучаєва, 2000. — 167 с.

2.     Кібернетика в сучасних економічних процесах : зб. текстів виступів на республік. міжвуз. наук.-практ. конф. / Держкомстат України, Ін-т статистики, обліку та аудиту. — К. : ІСОА, 2002. — 147 с.

3.     Оцінка й обгрунтування продовження ресурсу елементів конструкцій : праці конф., 6—9 черв. 2000 р., Київ. Т. 2 / відп. Ред. В. Т. Трощенко. — К. : НАН України, Ін-т пробл. міцності, 2000. — С. 559—956, ХІІІ, [2] с. — (Ресурс 2000).

4.     Проблеми обчислювальної механіки і міцності конструкцій : зб. наук. праць / наук. ред. В. І. Моссаковський. — Дніпропетровськ : Навч. кн., 1999. — 215 с.

Препринти

1.     Шиляев Б. А. Расчеты параметров радиационного повреждения материалов нейтронами источника ННЦ ХФТИ/ANL USA с подкритической сборкой, управляемой ускорителем электронов / Шиляев Б. А., Воеводин В. Н. — Х. ННЦ ХФТИ, 2006. — 19 с. — (Препринт / НАН Украины, Нац. науч. центр "Харьк. физ.-техн. ин-т" ; ХФТИ 2006-4).

2.     Панасюк М. І. Про точність визначення активності твердих радіоактивних відходів гамма-методами / Панасюк М. І., Скорбун А. Д., Сплошной Б. М. — Чорнобиль : Ін-т пробл. безпеки АЕС НАН України, 2006. — 7, [1] с. — (Препринт / НАН України, Ін-т пробл. безпеки АЕС ; 06-1).

Депоновані наукові праці

1.                Социологическое исследование малых групп населения / В. И. Иванов [и др.] ; М-во образования Рос. Федерации, Финансовая академия. – М., 2002. – 110 с. – Деп. в ВИНИТИ 13.06.02, № 145432.

2.                Разумовский, В. А. Управление маркетинговыми исследованиями в регионе / В. А. Разумовский, Д. А. Андреев. – М., 2002. – 210 с. – Деп. в ИНИОН Рос. акад. наук 15.02.02, № 139876.

Словники

1.     Тимошенко З. І. Болонський процес в дії : словник-довідник основ. термінів і понять з орг. навч. процесу у вищ. навч. закл. / З. І. Тимошенко, О. І. Тимошенко. — К. : Європ. ун-т, 2007. — 57 с.

2.     Українсько-німецький тематичний словник [уклад. Н. Яцко та ін.]. — К. : Карпенко, 2007. — 219 с.

Атласи

1.     Україна : екол.-геогр. атлас : присвяч. всесвіт. дню науки в ім’я миру та розвитку згідно з рішенням 31 сесії ген. конф. ЮНЕСКО / [наук. редкол.: С. С. Куруленко та ін.] ; Рада по вивч. продукт. сил України НАН України [та ін.]. — / [наук. редкол.: С. С. Куруленко та ін.]. — К. : Варта, 2006. — 217, [1] с.

Законодавчі та нормативні документи

1.     Експлуатація, порядок і терміни перевірки запобіжних пристроїв посудин, апаратів і трубопроводів теплових електростанцій : СОУ-Н ЕЕ 39.501:2007. — Офіц. вид. — К. : ГРІФРЕ : М-во палива та енергетики України, 2007. — VІ, 74 с. — (Нормативний документ Мінпаливенерго України. Інструкція).

Стандарти

1.     Графічні символи, що їх використовують на устаткуванні. Покажчик та огляд (ISO 7000:2004, IDT) : ДСТУ ISO 7000:2004. — [Чинний від 2006-01-01]. — К. : Держспоживстандарт України 2006. — ІV, 231 с. — (Національний стандарт України).

2.     Якість води. Словник термінів : ДСТУ ISO 6107-1:2004 — ДСТУ ISO 6107-9:2004. — [Чинний від 2005-04-01]. — К. : Держспоживстандарт України, 2006. — 181 с. — (Національні стандарти України).

3.     Вимоги щодо безпечності контрольно-вимірювального та лабораторного електричного устаткування. Частина 2-020. Додаткові вимоги до лабораторних центрифуг (EN 61010-2-020:1994, IDT) : ДСТУ EN 61010-2-020:2005. — [Чинний від 2007-01-01]. — К. : Держспоживстандарт України, 2007. — IV, 18 с. — (Національний стандарт України).

Каталоги

1.     Межгосударственные стандарты : каталог : в 6 т. / [сост. Ковалева И. В., Павлюкова В. А. ; ред. Иванов В. Л.]. — Львов : НТЦ "Леонорм-стандарт, 2006—    . — (Серия "Нормативная база предприятия"). Т. 5. — 2007. — 264 с.

Бібліографічні показчики

1.     Куц О. С. Бібліографічний покажчик та анотації кандидатських дисертацій, захищених у спеціалізованій вченій раді Львівського державного університету фізичної культури у 2006 році / О. Куц, О. Вацеба. — Львів : Укр. технології, 2007. — 74 с.

Дисертації

1.     Петров П. П. Активність молодих зірок сонячної маси:  дис. ... доктора фіз.-мат. наук : 01.03.02 / Петров Петро Петрович. – К., 2005. – 276 с.

Автореферати дисертацій

1.     Новосад І. Я. Технологічне забезпечення виготовлення секцій робочих органів гнучких гвинтових конвеєрів : автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд. техн. наук : спец. 05.02.08 „Технологія машинобудування” / І. Я. Новосад. — Тернопіль, 2007. — 20, [1] с.

2.     Нгуен Ші Данг. Моделювання і прогнозування макроекономічних показників в системі підтримки прийняття рішень управління державними фінансами : автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд. техн. наук : спец. 05.13.06 „Автоматиз. системи упр. та прогрес. інформ. технології” / Нгуен Ші Данг. — К., 2007. — 20 с.

Авторські свідоцтва

1. А. с. 1007970 СССР, МКИ3 В 25 J 15/00. Устройство для захвата неориентированных деталей типа валов / В. С. Ваулин, В. Г. Кемайкин (СССР). – № 3360585/25–08 ; заявл. 23.11.81 ; опубл. 30.03.83, Бюл. № 12.

Патенти

1. Пат. 2187888 Российская Федерация, МПК7 H 04 В 1/38, Н 04 J 13/00. Приемопередающее устройство / Чугаева В.И.; заявитель и патентообладатель Воронеж. науч.-исслед. ин-т связи. – № 2000131736/09 ; заявл. 18.12.00 ; опубл. 20.08.02, Бюл. № 23 (II ч.).

Частина книги, періодичного, продовжуваного видання

 

1.     Валькман Ю. Р. Моделирование НЕ-факторов — основа интеллектуализации компьютерных технологий / Ю. Р. Валькман, В. С. Быков, А. Ю. Рыхальский // Системні дослідження та інформаційні технології. — 2007. — № 1. — С. 39—61.

2.     Третьяк В. В. Возможности использования баз знаний для проектирования технологии взрывной штамповки / В. В. Третьяк, С. А. Стадник, Н. В. Калайтан // Современное состояние использования импульсных источников энергии в промышленности : междунар. науч.-техн. конф., 3-5 окт. 2007 г. : тезисы докл. — Х., 2007. — С. 33.

Електронні ресурси

1.     Богомольний Б. Р. Медицина екстремальних ситуацій [Електронний ресурс] ] : навч. посіб. для студ. мед. вузів III—IV рівнів акредитації / Б. Р. Богомольний, В. В. Кононенко, П. М. Чуєв. — 80 Min / 700 MB. — Одеса : Одес. мед. ун-т, 2003. — (Бібліотека студента-медика) — 1 електрон. опт. диск (CD-ROM) ; 12 см. — Систем. вимоги: Pentium ; 32 Mb RAM ; Windows 95, 98, 2000, XP ; MS Word 97-2000.— Назва з контейнера.

2.     Internet шаг за шагом [Электронный ресурс] : интеракт. учеб. — Электрон, дан. и прогр. -СПб. : Питер Ком, 1997. — 1 электрон, опт. диск (CD-ROM). — Систем, требования : ПК от 486 DХ 66 МГц ; RАМ 1616 Мб ; Windows 95 ; зв. плата. — Загл. с этикетки диска.

3.     Бібліотека і доступність інформації у сучасному світі: електронні ресурси в науці, культурі та освіті : (підсумки 10-ї Міжнар. конф. „Крим-2003”) [Електронний ресурс] / Л. Й. Костенко, А. О. Чекмарьов, А. Г. Бровкін, І. А. Павлуша // Бібліотечний вісник — 2003. — № 4. — С. 43. — Режим доступу до журн. :

http://www.nbuv.gov.ua/articles/2003/03klinko.htm.