Додатки
Додаток А
Міністерство освіти і
науки, молоді та спорту України
Вінницький національний
технічний університет
Інститут радіотехніки,
зв’язку та приладобудування
Факультет
медико-біологічного та електронного приладобудування
Кафедра проектування
комп’ютерної та телекомунікаційної апаратури
ЗАТВЕРДЖУЮ
Завідувач кафедри ПКТА
д.т.н., проф. М. А.
Філинюк
"___" _______ 20___ р.
РОЗРОБКА ГІБРИДНОЇ
ІНТЕГРАЛЬНОЇ СХЕМИ
ГЕНЕРАТОРа СИГНАЛІВ ЗАДАНОЇ ЧАСТОТИ
ТЕХНІЧНЕ ЗАВДАННЯ
до курсового проекту з
дисципліни "Технічна електроніка"
за напрямом підготовки
6.050903 —Телекомунікації
08–40.ТЕ.312.00.000 ТЗ
Керівник курсового
проекту
к.т.н., доц. _Петров
П. П.
(прізвище та ініціали)
______________________
(підпис)
”___” ____________20___
р.
Розробив студент гр.
ТКп-09
______Іванов І.
І._____
(підпис,
прізвище та ініціали)
”___”
____________20__ р.
Вінниця ВНТУ 20__
Додаток Б

Додаток В

Додаток Г

Додаток Д

Додаток Е

Додаток Ж

Додаток И

Додаток К
Таблиця К.1 – Конструктивні та технологічні обмеження при
проектуванні тонкоплівкових гібридних мікросхем
Елемент топології |
Зміст обмеження |
Розмір обмеження, мм |
М |
Ф |
МФ |
ЕІ |
ТА |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
 |
Точність виготовлення лінійних розмірів плівкових елементів
та розмірів між ними Δl, Δb, Δa, ΔL,
ΔB при
розміщенні плівкових елементів в одному шарі, мм
|
±0,01
|
±0,01
|
± 0,01
|
± 0,01
|
± 0,01
|
Мінімально допустимий розмір резистора, мм
b
l |
0,1
0,3 |
0,1
0,1 |
0,1
0,3 |
0,15
0,3 |
0,05
0,1 |
Мінімально допустимі розміри між плівковими елементами,
розміщеними в одному шарі а, мм |
0,3 |
0,1 |
0,3 |
0,1 |
0,05 |
Максимально допустиме співвідношення розмірів l/а |
10 |
100 |
30 |
100 |
100 |
Максимально допустимий розмір між плівковими елементами,
розміщеними в різних шарах с, мм |
0,2 |
0,1 |
0,2 |
0,1 |
0,1 |
Перекриття для суміщення плівкових елементів, що розміщені в
різних шарах e, мм |
0,2 |
0,1 |
0,2 |
0,1 |
0,1 |
min відстань від плівкових елементів до краю плати d,
мм |
0,5 |
0,2 |
0,5 |
0,4 |
0,2 |
min ширина плівкових
провідників i, мм |
0,1 |
0,05 |
0,1 |
0,1 |
0,05 |
min допустима відстань між краями плівкового резистора та
краєм його контактної площадки j, мм
|
0,2 |
0,1 |
0,2 |
0,1 |
0,1 |
Продовження таблиці К1 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
 |
min допустимі відстані, мм між краями діелек-трика та
нижньою обкладинкою конденсатора f |
0,1 |
0,1 |
0,1 |
0,1 |
– |
між краями верхньої та нижньої обкладинок конденсатора q
|
0,2 |
між краями діелект-рика та з'єднанням виводів конденсатора у
місці виводу верхньої обкладинки с |
0,3 |
від плівкового конденсатора до приклеюваних навісних
компонентів z |
0,5 |
min площа перекриття обкладинок L×B, мм2 |
0,5×0,5 |
max відхилення ємності конденсатора від номінального
значення, % |
12 |
 |
min відстань від дротя-ного провідника чи виводу до краю
кон-тактної площадки чи до краю плівкового провідника,
незахище-ного ізоляцією k, мм |
0,2 |
min розміри контакт-них площадок для мон-тажу навісних
компо-нентів з кульковими виводами m, мм
n, мм |
0,2
0,1 |
min відстань між кон-тактними
площадками для монтажу навісних компонентів з кулько-вими чи
стовпчикови-ми виводами, плівко-вим резистором р,
діелектриком конденсатора
,
мм |
0,6
0,35 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Продовження таблиці К1 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
|
min відстань, мм, від краю навісного компонента до:
краю плати g,
краю іншого компонента r,
краю
навісного пасивного компонента,
краю контактної площадки, що використовується для приварки
дротяних виводів s,
дротяного провідника,
лудженого плівкового елемента |
0,4
0,4
0,6
0,4
0,3
0,2 |
min розміри контактних площадок для контролю електричних
параметрів, мм |
0,2×0,2
|
min відстань між кон-тактними площадками для приварки та
припаювання дротяних провідників, мм |
0,2
|
max довжина гнучкого виводу без додатко-вого кріплення о,
мм |
3,0
|
min розміри контактних площадок для приварки дротяних
виводів навісних компонентів при діаметрі дроту, мм:
0,03
для одного провідника
для двох провідників
для трьох провідників
0,04
Те ж
0,05
Те ж |
0,15×0,1
0,2×0,2
0,2×0,3
0,2×0,15
0,25×0,25
0,25×0,40
0,25×0,2
0,3×0,3
0,3×0,5 |
Додаток Л
Таблиця Л.1 –
Електричні і конструктивні параметри мініатюрних діодів
Тип діода |
Пряма напруга, В при Іпр, мА |
Зворотний струм, мкА |
Максимальна зворотна напруга, В |
Максимальний прямий струм |
Максимальна температура, 0С |
Рисунок |
Uпр |
Іпр |
2Д 101 |
1 |
100 |
5 |
30 |
20 |
85 |

|
2Д 102 А |
1 |
50 |
0,1 |
250 |
100 |
125 |

|
2Д 102 Б |
1 |
50 |
1 |
300 |
100 |
125 |
КД 102 А |
1 |
50 |
0,1 |
250 |
100 |
100 |
КД 102 Б |
1 |
50 |
1 |
300 |
100 |
100 |
КД 103 А |
1 |
50 |
0,4 |
50 |
100 |
100 |
2Д 103 А |
1 |
50 |
1 |
75 |
100 |
125 |
КД 103 Б |
1 |
10 |
3 |
300 |
10 |
70 |
2Д 104 А |
1 |
10 |
3 |
300 |
10 |
70 |
КД 104 А |
1 |
10 |
3 |
300 |
10 |
70 |
3Д 110А |
1,45 |
10 |
0,001 |
50 |
10 |
85 |

|
АД 110А |
1,5 |
10 |
0,005 |
50 |
10 |
85 |
2Д 115А-1 |
1 |
50 |
1 |
100 |
30 |
125 |

|
2Д1 18А-1 |
1 |
300 |
50 |
200 |
300 |
100 |

|
Д 202 |
1 |
400 |
500 |
100 |
400 |
125 |

|
Д 203 |
1 |
400 |
500 |
200 |
400 |
125 |
Д 204 |
1 |
400 |
500 |
300 |
400 |
85 |
Д 205 |
1 |
400 |
500 |
400 |
400 |
85 |
МДЗ |
1 |
5 |
100 |
15 |
12 |
70 |

|
2Д 413 А,Б |
1 |
20 |
- |
24 |
20 |
125 |
КД 413 А,Б |
1 |
20 |
- |
24 |
20 |
85 |
КД 417 А |
0,45 |
1 |
5 |
24 |
20 |
100 |
2Д419Б,
КД419Б |
0,4 |
1 |
- |
30 |
10 |
125 |
2Д419В,
КД419В |
0,4 |
1 |
- |
50 |
10 |
125 |
2Д 922 А,
КД 922 А |
1 |
50 |
0,5 |
18 |
50 |
100 |

|
2Д 922 Б,
КД 922 Б |
1 |
35 |
0,5 |
21 |
35 |
100 |
2Д 922 В,
КД 922 В |
0,55 |
10 |
0,5 |
10 |
10 |
100 |
Таблиця Л.2 –
Електричні та геометричні параметри транзисторів
Тип транзистора |
Струк-
тура |
Uк-б,
В |
Ікmax,
мА |
h21е |
Рк max,
мВт |
Інтервал
робочих
температур, 0С |
Маса, г |
Рисунок |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
2Т 118 А-1
2Т 118 Б-1 |
p-n-p |
15 |
50 |
- |
30 |
-60...+85 |
0,003 |

|
КТ 120 А-1 |
p-n-p |
60 |
10 |
20-200 |
15 |
-10...+65 |
0,06 |

|
КТ 120 Б-1 |
30 |
КТ 120 В-1 |
60 |
35 |
2Т 126 А-1,Б-1 |
25 |
50 |
15-60 |
15 |
-60...+85 |
2Т 126 В-1,Г-1 |
45 |
40-200 |
2Т 127 А1 |
n-p- n |
25 |
50 |
15-60 |
15 |
-60...+85 |
0,006 |

|
2Т 127 Б1 |
40-200 |
2Т 127 В1 |
45 |
15-60 |
2Т 127 Г1 |
40-200 |
2Т 202 А-1,
КТ 202 А-1 |
p-n-p |
15 |
20 |
15-70 |
|
-60...+85 |
0,002 |

|
2Т 202 Б-1,
КТ 202 Б-1 |
40-160 |
2Т 202 В-1,
КТ 202 В-1 |
30 |
15-70 |
2Т 202 Г-1,
КТ 202 Г-1 |
40-160 |
2Т 202 Д-1,
КТ 202 Д-1 |
15 |
100-300 |
2Т 205 А-3,
КТ 205 Б-3 |
n-p- n |
250 |
20 |
10-40 |
40 |
-60...+125 |
0,003 |

|
КТ 206 А
КТ 206 Б |
n-p- n |
20 |
20 |
30-90 |
15 |
-60...+85 |
0,002 |

|
12 |
70-210 |
КТ 207 А |
p-n-p |
60 |
10 |
9 |
15 |
-45...+85 |
0,01 |

|
КТ 207 Б |
30 |
30-150 |
КТ 207 В |
15 |
30-200 |
Продовження таблиці Л.2 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
2 Т 211 А-1 |
p-n-p |
15 |
20 |
40-120 |
25 |
-60...+125 |
0,002 |

|
2 Т 211 Б-1 |
80-240 |
2 Т 211 В-1 |
160-480 |
2 Т 214 А-1 |
(30) |
50 |
20 |
50 |
-60...+100 |
2 Т 214 Б-1 |
(7) |
30-90 |
2 Т 214 В-1,
2 Т 214 Г-1
|
40-120 |
2 Т 214 Д-1 |
80 |
2 Т 214 Е-1 |
(20) |
40 |
КТ 214 А-1 |
(30) |
20 |
-45...+85 |
КТ 214 Б-1 |
(7) |
30-90 |
КТ 214 В-1,
КТ 214 Г-1 |
40-120 |
КТ 214 Д-1 |
80 |
КТ 214 Е-1 |
(20) |
40 |
2 Т 215 А-1 |
(100) |
20 |
-60...+100 |
2 Т 215 Б-1 |
(90) |
30-90 |
2Т 215 В-1 |
n-p- n |
(80) |
50 |
40-120 |
50 |
-60...+100 |
0,002 |

|
2 Т 215 Г-1 |
(60) |
2 Т 215 Д-1 |
(30) |
80 |
2 Т 215 Е-1 |
40 |
КТ 215 А-1 |
(100) |
20 |
-45...+85 |
КТ 215 Б-1 |
(90) |
30-90 |
КТ 215 В-1 |
(80) |
40-120 |
КТ 215 Г-1 |
(60) |
40-120 |
КТ 215 Д-1 |
(30) |
80 |
КТ 215 Е-1 |
40 |
2Т 307 А-1,
КТ 307 А-1 |
n-p- n |
10 |
20 |
20 |
15 |
-60...+85 |
0,002 |

|
2Т 307 Б-1,
КТ 307 Б-1 |
40 |
2Т 307 В-1,
КТ 307 В-1 |
40 |
2Т 307 Г-1,
КТ 307 Г-1 |
80 |
2Т 314 А-2
КТ 314 А-2 |
n-p- n |
65 |
60 |
30-120 |
0,5*103 |
-60...+125 |
0,1 |

|
Додаток М
ПРИКЛАДИ РОЗРАХУНКІВ
ПЛІВКОВИХ ЕЛЕМЕНТІВ
1
Розрахунок плівкових резисторів
Дано, що резистори мають такі параметри: R5 = R9 = R10 = R11 =
= R12 = 3,7 кОм; R1 = R3 = R8 = 27 кОм; R4 = R6 = R13 = 57 кОм; R2 =
R7 = 270 кОм.
Визначимо оптимальний опір квадрата резистивної плівки:
,
(М.1)
де
-
номінал -того
резистора; -
кількість резисторів.
(кОм/□).
Для
виготовлення резисторів будемо використовувати матеріал кермет К-50С
ЕТО.021.013ТУ, оскільки його
=
10000 Ом/□ найближчий до
.
Дані
для розрахунку:
- загальна похибка
опорів – ;
- максимальна робоча
температура – ;
- потужність розсіювання –
мВт;
- похибка перехідних
опорів контактів – ;
- похибка відтворення величини резистивної
плівки – ;
-
мінімальні довжина і ширина, які можуть бути зроблені за допомогою
цього методу – мм.
Параметри резистивного матеріалу:
- питома потужність
розсіювання – мВт/мм2;
- температурний
коефіцієнт опору – 1/ºС;
-
зміна величини опору при старінні –
.
Крок координатної сітки –
мм;
Метод виготовлення резисторів – фотолітографія.
Відносна зміна опорів при максимальній робочій температурі:
.
Максимально допустима похибка коефіцієнта:
.
а) розрахунок резисторів R5 = R9 = R10 = R11 = R12 = 3,7 кОм ± 10%.
Визначимо конструкцію резисторів за значенням коефіцієнта форми:
–
отже, резистори прямокутної форми з довжиною, меншою за ширину ( ).
Для таких резисторів спочатку визначається довжина, а
потім ширина:
,
(М.2)
де
–
мінімальна довжина резистора, обумовлена технологічними обмеженнями,
(мм).
,
(М.3)
де
–
довжина резистора, що визначається точністю виготовлення.
,
(М.4)
де
-
мінімальна довжина резистора, при якій забезпечується задана
потужність.
(мм).
(мм).
Згідно з формулою (М.2) приймаємо найбільше із вирахуваних значень -
мм.
Заокруглюємо до значення, кратного кроку координатної сітки у більшу
сторону, щоб був запас із розсіювання потужності, –
мм.
Тепер, знаючи значення довжини резистора, визначаємо ширину
резистора, за допомогою коефіцієнта форми
,
(М.5)
(мм).
Заокруглюємо до значення, кратного кроку координатної сітки
мм.
Визначаємо повну довжину резистора з врахуванням перекриття
контактних площадок
,
(М.6)
де
–
розмір перекриття резистора і контактних площадок. При використанні
даного методу мм.
(мм).
Загальна площа резистора на схемі становить
,
(М.7)
(мм2).
Всі
розрахунки зроблено, виконаємо перевірку:
–
потужності
,
(М.8)
(мВт/мм2),
отже, виготовлений резистор не буде виділяти більшу потужність, ніж
задана в умові;
–
похибки коефіцієнта форми
,
(М.9)
;
–
перевірка сумарної похибки
,
(М.10)
(%).
Виконавши перевірку видно, що параметри резисторів R5, R9, R10, R11,
R12 розраховано правильно.
б) розрахунок резисторів R1 = R3 = R8 = 27 кОм ± 10%.
Визначимо конструкцію резисторів за значенням коефіцієнта форми:
–
отже, резистори прямокутної форми з довжиною, більшою за ширину ( ).
Для таких резисторів спочатку визначається ширина, а
потім довжина:
,
(М.11)
де
–
мінімальна ширина резистора, обумовлена технологічними обмеженнями,
(мм).
,
(М.12)
де
–
ширина резистора, що визначається точністю виготовлення.
,
(М.13)
де
-
мінімальна ширина резистора, при якій забезпечується задана
потужність.
(мм),
(мм).
Згідно з формулою М.11 приймаємо найбільше із вирахуваних значень –
мм.
Заокруглюємо до значення, кратного кроку координатної сітки у більшу
сторону, щоб був запас із розсіювання потужності, –
мм.
Тепер, знаючи значення ширина резистора, визначаємо його довжину,
за допомогою коефіцієнта форми
,
(М.14)
(мм).
Заокруглюємо до значення, кратного кроку
координатної сітки мм.
Визначаємо повну довжину резистора з врахуванням перекриття
контактних площадок (за формулою (4.13):
(мм).
Загальна площа резистора на схемі становить (за формулою 4.14)
(мм2).
Всі
розрахунки зроблені, виконаємо перевірку:
–
потужності (за формулою М.8)
(мВт/мм2),
отже, виготовлений резистор не буде виділяти більшу потужність, ніж
задана в умові;
– похибки коефіцієнта форми (за формулою М.9)
;
–
перевірка сумарної похибки (за формулою М.10)
(%).
Виконавши перевірку видно, що параметри резисторів R1, R3, R8
розраховано правильно.
в) розрахунок резисторів R2 = R7 = 270 кОм ± 10%.
Визначимо конструкцію резисторів за значенням коефіцієнта форми
–
отже, це будуть резистори складної форми (меандр).
Для таких резисторів спочатку визначається ширина, а
потім довжина:
,
(мм),
(мм).
Серед
наведених вище розрахунків, найбільше значення має
мм,
тому його будемо використовувати для подальших розрахунків. Тепер це
значення округлюємо до кроку координатної сітки,
мм.
Визначаємо довжину середньої лінії меандра
,
(М.15)
(мм).
Тепер
визначаємо найменшу кількість ланок у меандрі, виходячи з такої
умови, що мінімальною вона буде при однакових значеннях відстані між
ланками ( )
та ширини однієї ланки меандра ( )
тобто ,
а також при однаковій загальній довжині ( )
та ширині ( )
меандра ( ).
При використанні фотолітографічного методу
мм,
а згідно з отриманим значенням
мм,
тому вибираємо мм.
Тепер визначаємо крок однієї ланки
,
(М.16)
(мм).
Визначимо оптимальну кількість ланок меандра
,
(М.17)
,
але число ланок повинно бути цілим, тому округлюємо до більшого –
кількість ланок меандра .
Визначимо загальну довжину меандра
,
(М.18)
(мм).
Тепер загальну ширину меандра
,
(М.19)
(мм).
Загальна площа меандра становить
,
(М.20)
(мм2).
Всі
розрахунки зроблені, виконаємо перевірку:
–
потужності (за формулою М.8)
(мВт/мм2)
отже меандр має великий
запас міцності за потужністю.
–
похибки коефіцієнта форми
(за формулою М.9)
 ,
(М.21)
;
–
перевірка сумарної похибки (за формулою М.10)
(%).
Виконавши перевірку видно, що параметри резисторів R2, R7
розраховано правильно.
2
Розрахунок плівкових конденсаторів
В
даній схемі конденсатори мають такі параметри:
C1 = C2 = C7 = C8 = 470 пФ; C3 = C4 = C5 = C6 = C9 = C11 = 680 пФ;
C10 = = C12 = 2700 пФ.
Дані
для розрахунку:
- робоча напруга –
В;
- діапазон робочих температур –
;
- тангенс кута діелектричних втрат –
;
- максимальна частота –
кГц;
- похибка відтворення ємності на виробництві –
;
- похибка старіння матеріалу –
;
- крок координатної сітки –
мм.
Діелектричний матеріал – монооксид кремнію, що має такі параметри:
- питомий поверхневий опір –
Ом/□;
- робоча напруга –
В;
- діелектрична проникність –
;
- тангенс кута діелектричних втрат в
діелектрику – ;
- електрична міцність –
В/см;
- робоча частота –
кГц;
- температурний коефіцієнт ємності –
1/°С.
Визначаємо мінімальну товщину діелектрика
,
(М.22)
де
–
коефіцієнт запасу електричної міцності, який зазвичай дорівнює 2 ÷
4;
–
робоча напруга схеми;
–
електрична міцність матеріалу.
Товщина повинна бути в межах 0,1..1 мкм, інакше потрібно вибирати
інший матеріал.
(м).
Отже, вибраний матеріал підходить для подальших розрахунків.
а) розрахунок конденсаторів С1 = С2 = С7 = С8 = 470 пФ ± 15%.
Вибираємо мінімальне значення питомої ємності конденсатора, виходячи
з такої умови:
,
(М.23)
де –
питома ємність за електричною міцністю;
–
питома ємність за точністю виготовлення;
–
питома ємність мінімальної площі.
Визначаємо питому ємність конденсатора, виходячи з умови електричної
міцності
,
(М.24)
(пФ/мм2).
Оцінюємо відносну температурну похибку
,
(М.25)

Визначаємо допустиму похибку активної площі конденсатора
,
(М.26)
де –
похибка ємності;
–
похибка старіння матеріалу, зазвичай 2 ÷ 3%.

Визначаємо питому ємність конденсатора з урахуванням
точності його виготовлення
,
(М.27)
де
–
абсолютна похибка довжини
верхньої обкладинки,
мм;
–
коефіцієнт форми, для ТПК прямокутної форми
.
(пФ/мм2).
Визначаємо питому ємність для мінімальної площі
,
(М.28)
де мм2
– мінімальна площа.
(пФ/мм2).
Отже,
найменшим значенням серед визначених є
пФ/мм2,
тому пФ/мм2.
Визначаємо коефіцієнт, що враховує крайовий ефект в конденсаторі
,
(М.29)
(мм2),
отже, коефіцієнт буде дорівнювати
.
Визначимо площу верхньої обкладинки конденсатора
,
(М.30)
(мм2).
Визначимо розміри верхньої обкладинки конденсаторів
,
(М.31)
(мм).
Заокруглимо до значення кроку координатної
сітки ( мм):
мм.
Визначимо розміри нижньої обкладинки конденсатора
,
(М.32)
де –
розмір перекриття верхньої та нижньої обкладинок,
мм.
(мм).
Визначимо розмір діелектрика
,
(М.33)
де –
розмір перекриття нижньої обкладинки і діелектрика,
мм.
(мм).
Визначимо площу, яку буде займати конденсатор
,
(М.34)
(мм2).
Виконаємо перевірку:
–
робочий тангенса кута діелектричних втрат
,
(М.35)
,
(М.36)
;
(М.37)
,
,
отже,
,
тому за тангенсом кута діелектричних втрат розрахунки правильні;
–
робоча електрична міцність
матеріалу діелектрика
,
(М.38)
причому
,
(М.39)
(В/см),
отже,
,
тому є запас міцності діелектрика при робочому режимі;
–
похибка активної площі
конденсатора
,
(М.40)
причому
;
(М.41)
,
отже
,
похибка знаходиться у відповідних межах, отже розрахунок
конденсаторів С1, С2, С7 та С8 – правильний.
б)
розрахунок конденсаторів С10 = С12 = 2700 пФ ± 15%.
Обираємо мінімальне значення питомої ємності конденсатора, виходячи
з формули (М.23).
Питома ємність конденсатора (за (М.24))
пФ/мм2.
Питома ємність
конденсатора з урахуванням точності його виготовлення
визначається за формулою (М.27):
(пФ/мм2).
Питома ємність мінімуму площі (за формулою (М.28))
(пФ/мм2).
Отже,
найменшим значенням серед розрахованих є
пФ/мм2,
тому пФ/мм2.
Визначаємо коефіцієнт, що враховує крайовий ефект в конденсаторі (за
формулою (М.29))
(мм2),
отже, коефіцієнт буде дорівнювати одиниці .
Визначимо площу верхньої обкладинки конденсатора (за формулою
(М.30))
(мм2).
Визначимо розміри верхньої обкладинки конденсаторів (за формулою
(М.31))
(мм).
Визначимо розміри нижньої обкладинки конденсатора (за формулою
(М.32)):
(мм).
Визначимо розмір діелектрика (за формулою (М.33))
(мм).
Визначимо площу, яку буде займати конденсатор (за формулою (М.34))
(мм2).
Виконаємо перевірку:
–
тангенса кута втрат (за формулами (М.35)–(М.37))
,
,
отже,
,
тому за тангенсом кута діелектричних втрат розрахунки правильні;
–
електричної міцності діелектрика (за формулами (М.38), (М.39))
(В/см),
Отже,
,
тому є запас міцності діелектрику при робочому режимі;
–
похибки активної площі (за формулами (М.40), (М.41))
,
отже
,
тому похибка активної площі конденсатора знаходиться у відповідних
межах і розрахунок конденсаторів С10 та С12 – правильний.
Додаток Н
ПРИКЛАДИ ОФОРМЛЕННЯ
ЛІТЕРАТУРИ
Література оформлюється згідно з ДСТУ ГОСТ 7.1:2006 “Система
стандартів з інформації, бібліотечної та видавничої справи.
Бібліографічний запис. Бібліографічний опис. Загальні вимоги та
правила складання”.
Характеристика
джерела |
Приклад оформлення |
Книги:
Один автор |
1.
Коренівський Д. Г.
Дестабілізуючий ефект параметричного білого шуму в
неперервних та дискретних динамічних системах / Коренівський
Д. Г. — К. : Ін-т математики, 2006. — 111 с. —
(Математика та її застосування) (Праці / Ін-т математики НАН
України ; т. 59). |
Два автори |
1.
Суберляк О. В.
Технологія переробки полімерних та композиційних матеріалів
: підруч. [для студ. вищ. навч. закл.] / О. В. Суберляк, П.
І. Баштанник. — Львів : Растр-7, 2007. — 375 с. |
Три автори
|
1.
Акофф Р. Л. Идеализированное проектирование: как
предотвратить завтрашний кризис сегодня. Создание будущего
организации / Акофф Р. Л., Магидсон Д., Эддисон Г. Д. ; пер.
с англ. Ф. П. Тарасенко. — Днепропетровск : Баланс Бизнес
Букс, 2007. — XLIII, 265 с. |
Чотири автори |
1.
Елементи
iнформатики [Текст] : довідник / В. С. Височанський, А. I.
Кардаш, В. С. Костев, В. В. Черняхівський . — К. : Наук,
думка, 2003. - 192 с.
2.
Механізація
переробної галузі агропромислового комплексу : [підруч. для
учнів проф.-техн. навч. закл.] / О. В. Гвоздєв, Ф. Ю. Ялпачик,
Ю. П. Рогач, М. М. Сердюк. — К. : Вища освіта, 2006. — 478,
[1] с. — (ПТО: Професійно-технічна освіта). |
П’ять і більше авторів |
1.
Психология
менеджмента / [ Власов П. К., Липницкий А. В., Лущихина И.
М. и др.] ; под ред. Г. С. Никифорова. — [3-е изд.]. — Х. :
Гуманитар. центр, 2007. — 510 с.
2.
Коротковолновые
антенны [Текст] : учеб, пособие / Г. 3. Айзенберг, С. П.
Белоусов, Я. М. Журбин и др. ; под общ. ред. А. А. Стогния.
— 2-е изд. — М. : Радио и связь, 2003. — 192 с. |
Без автора |
1.
Информационные
технологии в маркетинге [Текст] : учеб. / под ред. Г. А.
Титаренко. — М. : ЮНИТИ, 2000. — 335 с. — (Texbook). — 13ВК
5-238-00154-1.
2.
Проблеми
типологічної та квантитативної лексикології : [зб.наук.праць
/ наук. ред. Каліущенко В. та ін.]. — Чернівці : Рута, 2007.
— 310 с. |
Багатотомний документ |
1.
Історія
Національної академії наук України, 1941—1945 / [упоряд. Л.
М. Яременко та ін.]. — К. : Нац. б-ка України ім.
В. І. Вернадського, 2007— .— (Джерела з історії науки в
Україні).
Ч. 2 : Додатки — 2007. — 573, [1] c.
2.
Межгосударственные
стандарты : каталог в 6 т. / [сост. Ковалева И. В., Рубцова
Е. Ю. ; ред. Иванов В. Л.]. — Львов : НТЦ "Леонорм-Стандарт",
2005— .— (Серия "Нормативная база предприятия"). Т. 1. —
2005. — 277 с.
3.
Савельев, И.В.
Курс общей физики [Текст]. Т. 1. Механика. Молекулярная
физика : учеб, пособие / И. В. Савельев. -—• 2-е изд.,
перераб. — М. : Наука, 1982. — 432 с.
4.
Бондаренко В. Г.
Теорія ймовірностей і математична статистика. Ч.1 / В. Г.
Бондаренко, І. Ю. Канівська, С. М. Парамонова. — К. : НТУУ "КПІ",
2006. — 125 с. |
Матеріали конференцій, з’їздів
|
1.
Економіка, менеджмент, освіта в системі реформування
агропромислового комплексу : матеріали Всеукр. конф. молодих
учених-аграрників ["Молодь України і аграрна реформа"],
(Харків, 11—13 жовт. 2000 р.) / М-во аграр. політики, Харк.
держ. аграр. ун-т ім. В. В. Докучаєва. — Х. : Харк. держ.
аграр. ун-т ім. В. В. Докучаєва, 2000. — 167 с.
2.
Кібернетика в сучасних економічних процесах : зб. текстів
виступів на республік. міжвуз. наук.-практ. конф. /
Держкомстат України, Ін-т статистики, обліку та аудиту. — К.
: ІСОА, 2002. — 147 с.
3.
Оцінка й обгрунтування продовження ресурсу елементів
конструкцій : праці конф., 6—9 черв. 2000 р., Київ. Т. 2 /
відп. Ред. В. Т. Трощенко. — К. : НАН України, Ін-т пробл.
міцності, 2000. — С. 559—956, ХІІІ, [2] с. — (Ресурс 2000).
4.
Проблеми обчислювальної механіки і міцності конструкцій :
зб. наук. праць / наук. ред. В. І. Моссаковський. —
Дніпропетровськ : Навч. кн., 1999. — 215 с. |
Препринти |
1.
Шиляев Б. А.
Расчеты параметров радиационного повреждения материалов
нейтронами источника ННЦ ХФТИ/ANL USA с подкритической
сборкой, управляемой ускорителем электронов / Шиляев Б. А.,
Воеводин В. Н. — Х. ННЦ ХФТИ, 2006. — 19 с. — (Препринт /
НАН Украины, Нац. науч. центр "Харьк. физ.-техн. ин-т" ;
ХФТИ 2006-4).
2.
Панасюк М. І. Про точність визначення активності твердих
радіоактивних відходів гамма-методами / Панасюк М. І.,
Скорбун А. Д., Сплошной Б. М. — Чорнобиль : Ін-т пробл.
безпеки АЕС НАН України, 2006. — 7, [1] с. —
(Препринт / НАН України, Ін-т пробл. безпеки АЕС ; 06-1). |
Депоновані наукові праці |
1.
Социологическое
исследование малых групп населения / В. И. Иванов [и др.] ;
М-во образования Рос. Федерации, Финансовая академия. – М.,
2002. – 110 с. – Деп. в ВИНИТИ 13.06.02, № 145432.
2.
Разумовский, В. А.
Управление маркетинговыми исследованиями в регионе / В. А.
Разумовский, Д. А. Андреев. – М., 2002. – 210 с. – Деп. в
ИНИОН Рос. акад. наук 15.02.02, № 139876. |
Словники
|
1.
Тимошенко З. І.
Болонський процес в дії : словник-довідник основ. термінів і
понять з орг. навч. процесу у вищ. навч. закл. / З. І.
Тимошенко, О. І. Тимошенко. — К. : Європ. ун-т, 2007. — 57
с.
2.
Українсько-німецький тематичний словник [уклад. Н. Яцко та
ін.]. — К. : Карпенко, 2007. — 219 с. |
Атласи
|
1.
Україна :
екол.-геогр. атлас : присвяч. всесвіт. дню науки в ім’я миру
та розвитку згідно з рішенням 31 сесії ген. конф. ЮНЕСКО /
[наук. редкол.: С. С. Куруленко та ін.] ; Рада по вивч.
продукт. сил України НАН України [та ін.]. — / [наук. редкол.:
С. С. Куруленко та ін.]. — К. : Варта, 2006. — 217, [1] с. |
|
1.
Експлуатація,
порядок і терміни перевірки запобіжних пристроїв посудин,
апаратів і трубопроводів теплових електростанцій : СОУ-Н ЕЕ
39.501:2007. — Офіц. вид. — К. : ГРІФРЕ : М-во палива та
енергетики України, 2007. — VІ, 74 с. —
(Нормативний документ Мінпаливенерго України. Інструкція). |
Стандарти |
1.
Графічні символи,
що їх використовують на устаткуванні. Покажчик та огляд (ISO
7000:2004, IDT) : ДСТУ ISO 7000:2004. —
[Чинний від 2006-01-01]. — К. : Держспоживстандарт України
2006. — ІV, 231 с. — (Національний стандарт України).
2.
Якість води.
Словник термінів : ДСТУ ISO 6107-1:2004 — ДСТУ ISO
6107-9:2004. — [Чинний від 2005-04-01]. — К. :
Держспоживстандарт України, 2006. — 181 с. —
(Національні стандарти України).
3.
Вимоги щодо
безпечності контрольно-вимірювального та лабораторного
електричного устаткування. Частина 2-020. Додаткові вимоги
до лабораторних центрифуг (EN 61010-2-020:1994, IDT) : ДСТУ
EN 61010-2-020:2005. — [Чинний від
2007-01-01]. — К. : Держспоживстандарт України, 2007. — IV,
18 с. — (Національний стандарт України). |
Каталоги |
1.
Межгосударственные
стандарты : каталог : в 6 т. / [сост. Ковалева И. В.,
Павлюкова В. А. ; ред. Иванов В. Л.]. — Львов : НТЦ "Леонорм-стандарт,
2006— . — (Серия "Нормативная база предприятия"). Т. 5. —
2007. — 264 с. |
Бібліографічні показчики |
1.
Куц О. С. Бібліографічний покажчик та
анотації кандидатських дисертацій, захищених у
спеціалізованій вченій раді Львівського державного
університету фізичної культури у 2006 році / О. Куц, О.
Вацеба. — Львів : Укр. технології, 2007. — 74 с. |
Дисертації |
1.
Петров П. П. Активність молодих зірок сонячної маси: дис.
... доктора фіз.-мат. наук : 01.03.02 / Петров Петро
Петрович. – К., 2005. – 276 с. |
Автореферати дисертацій |
1.
Новосад І. Я.
Технологічне забезпечення виготовлення секцій робочих
органів гнучких гвинтових конвеєрів : автореф. дис. на
здобуття наук. ступеня канд. техн. наук : спец. 05.02.08
„Технологія машинобудування” / І. Я. Новосад.
— Тернопіль, 2007. — 20, [1] с.
2.
Нгуен Ші Данг.
Моделювання і прогнозування макроекономічних показників в
системі підтримки прийняття рішень управління державними
фінансами : автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд.
техн. наук : спец. 05.13.06 „Автоматиз. системи упр. та
прогрес. інформ. технології” / Нгуен Ші Данг. — К., 2007. —
20 с. |
Авторські свідоцтва |
1. А. с. 1007970 СССР, МКИ3 В 25 J 15/00.
Устройство для захвата неориентированных деталей типа валов
/ В. С. Ваулин, В. Г. Кемайкин (СССР). – № 3360585/25–08 ;
заявл. 23.11.81 ; опубл. 30.03.83, Бюл. № 12. |
Патенти |
1. Пат. 2187888 Российская Федерация, МПК7 H 04 В
1/38, Н 04 J 13/00. Приемопередающее устройство / Чугаева
В.И.; заявитель и патентообладатель Воронеж. науч.-исслед.
ин-т связи. – № 2000131736/09 ; заявл. 18.12.00 ; опубл.
20.08.02, Бюл. № 23 (II ч.). |
Частина книги, періодичного, продовжуваного видання
|
1.
Валькман Ю. Р. Моделирование
НЕ-факторов — основа интеллектуализации компьютерных
технологий / Ю. Р. Валькман, В. С. Быков, А. Ю. Рыхальский
// Системні дослідження та інформаційні технології. — 2007.
— № 1. — С. 39—61.
2.
Третьяк В. В.
Возможности использования баз знаний для проектирования
технологии взрывной штамповки / В. В. Третьяк,
С. А. Стадник, Н. В. Калайтан // Современное состояние
использования импульсных источников энергии в промышленности
: междунар. науч.-техн. конф., 3-5 окт. 2007 г. : тезисы
докл. — Х., 2007. — С. 33. |
Електронні ресурси |
1.
Богомольний Б. Р.
Медицина екстремальних ситуацій [Електронний
ресурс] ] : навч. посіб. для студ. мед. вузів III—IV рівнів акредитації
/ Б. Р. Богомольний,
В. В. Кононенко, П. М. Чуєв. — 80 Min / 700 MB. — Одеса :
Одес. мед. ун-т, 2003. — (Бібліотека студента-медика) — 1
електрон. опт. диск (CD-ROM) ; 12 см. — Систем.
вимоги: Pentium ; 32 Mb
RAM ; Windows 95, 98, 2000, XP ; MS Word 97-2000.—
Назва з контейнера.
2.
Internet шаг за
шагом [Электронный ресурс] : интеракт. учеб. — Электрон, дан.
и прогр. -СПб. : Питер Ком, 1997. — 1 электрон, опт. диск
(CD-ROM). — Систем, требования : ПК от 486 DХ 66 МГц ; RАМ
1616 Мб ; Windows 95 ; зв. плата. — Загл. с этикетки диска.
3.
Бібліотека і доступність інформації у сучасному світі:
електронні ресурси в науці, культурі та освіті : (підсумки
10-ї Міжнар. конф. „Крим-2003”) [Електронний ресурс] / Л. Й.
Костенко, А. О. Чекмарьов, А. Г. Бровкін, І. А. Павлуша //
Бібліотечний вісник — 2003. — № 4. — С. 43. — Режим доступу
до журн. :
http://www.nbuv.gov.ua/articles/2003/03klinko.htm. |
|