7.4 Ефект Еттінгсгаузена
Ефект Еттінгсгаузена є супутнім ефекту Холла і полягає в тому, що при пропусканні струму через провідник, поміщений в поперечне магнітне поле (рис. 7.5), в напрямі, перпендикулярному до магнітного поля і струму, виникає градієнт температури. Найбільшу величину цей ефект має у власних напівпровідниках. Як було показано в попередньому підрозділі, в таких напівпровідниках електрони і дірки відхиляються магнітним полем в одну і ту ж сторону (до грані С на рис. 7.5). Внаслідок цього на одній грані зразка концентрація електронів і дірок виявляється вище рівноважної і там рекомбінація переважає над тепловою генерацією носіїв, а на іншій грані (на грані Ефект Еттінгсгаузена спостерігається і в області домішкової провідності напівпровідників. В цьому випадку причиною його виникнення є відмінність часів вільного пробігу носіїв заряду, що мають різні швидкості теплового руху і внаслідок цього різні швидкості дрейфу «холодних» і «гарячих» носіїв. Згідно з формулою (7.27) холлівське поле Ефект Еттінгсгаузена може бути використаний в тих же пристроях, що і ефект Пельтьє – в пристроях кондиціонування повітря, охолоджування, термостатування і под., де потрібне перекачування тепла. При цьому матеріал, що використовується для цих цілей, так само як і в елементах Пельтьє, повинен мати по можливості меншу теплопровідність, щоб перетікання тепла від гарячої грані зразка до холодної було утруднено. Гальваномагнітні ефекти не вичерпуються приведеними ефектами Холла і Еттінгсгаузена. Крім того, існують ще термомагнітні ефекти, тобто ефекти, що виникають у присутності градієнта температури і магнітного поля. Проте найбільше практичне значення мають розглянуті ефекти Холла і Еттінгсгаузена.
|